트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PTFA191001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 44dBm 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음7,218
PTFA191001EV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 44dBm 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음6,102
PTFA191001F V4 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 44dBm 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음8,928
PTFA191001F V4 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 44dBm 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음7,668
PTFA192001E1V4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF POWER TRANSISTOR 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-33288-2	재고 있음7,704
PTFA192001E1V4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음5,976
PTFA192001EV4R0XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 200W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음5,238
PTFA192001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음2,268
PTFA192001EV4T350XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF FET LDMOS H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,544
PTFA192001EV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음7,398
PTFA192001FV4FWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음4,284
PTFA192001F V4 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 15.9dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음7,920
PTFA192401EV4R250FTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음5,436
PTFA192401EV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음6,786
PTFA192401FV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음3,078
PTFA192401FV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음2,160
PTFA210601EV4R250FTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음6,282
PTFA210601EV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음4,284
PTFA210601F V4 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음2,844
PTFA210601F V4 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음7,722
PTFA210701EV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음6,588
PTFA210701EV4T500XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음7,524
PTFA210701EV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음6,282
PTFA210701FV4FWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음5,166
PTFA210701FV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 18W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음6,696
PTFA211801E V4 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 35W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음4,500
PTFA211801E V4 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 35W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음8,856
PTFA211801E-V5-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 180W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음4,536
PTFA211801E-V5-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 140W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음8,838
PTFA211801EV5T350XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF FET LDMOS H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,714

PTFA191001EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 17dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 44dBm
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음7,218

PTFA191001EV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 17dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 44dBm
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음6,102

PTFA191001F V4

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 17dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 44dBm
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음8,928

PTFA191001F V4 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 17dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 44dBm
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음7,668

PTFA192001E1V4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 15.9dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.8A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-33288-2

재고 있음7,704

PTFA192001E1V4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 15.9dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.8A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음5,976

PTFA192001EV4R0XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz
이득: 15.9dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 200W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음5,238

PTFA192001EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 15.9dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.8A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음2,268

PTFA192001EV4T350XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF FET LDMOS H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,544

PTFA192001EV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 15.9dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.8A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음7,398

PTFA192001FV4FWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 15.9dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.8A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음4,284

PTFA192001F V4 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 15.9dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.8A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음7,920

PTFA192401EV4R250FTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 1.96GHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 16dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음5,436

PTFA192401EV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 1.96GHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 16dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음6,786

PTFA192401FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 16dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음3,078

PTFA192401FV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 16dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.6A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음2,160

PTFA210601EV4R250FTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 16dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 12W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음6,282

PTFA210601EV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 16dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 12W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음4,284

PTFA210601F V4

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 16dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 12W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음2,844

PTFA210601F V4 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 16dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 12W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음7,722

PTFA210701EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 18W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음6,588

PTFA210701EV4T500XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 18W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음7,524

PTFA210701EV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 18W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음6,282

PTFA210701FV4FWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 18W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음5,166

PTFA210701FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 18W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음6,696

PTFA211801E V4

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 35W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음4,500

PTFA211801E V4 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 35W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음8,856

PTFA211801E-V5-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 180W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음4,536

PTFA211801E-V5-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.14GHz
이득: 15.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.2A
전원-출력: 140W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음8,838

PTFA211801EV5T350XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF FET LDMOS H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,714

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