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PTFA192001EV4XWSA1

PTFA192001EV4XWSA1

참조 용

부품 번호 PTFA192001EV4XWSA1
PNEDA 부품 번호 PTFA192001EV4XWSA1
설명 FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 28 - 7월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA192001EV4XWSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA192001EV4XWSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA192001EV4XWSA1, PTFA192001EV4XWSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 427.7 KB)
PDFPTFA192001EV4R0XTMA1 데이터 시트 표지
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  • PTFA192001EV4XWSA1 Distributor

PTFA192001EV4XWSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득15.9dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.8A
전원-출력50W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지H-36260-2

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패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

PTFA180701FV4R0XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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주파수

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이득

16.5dB

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패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

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이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

55mA

전원-출력

1W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

12-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-HVSON (6x4)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

11.5dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

55mA

전원-출력

3W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

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