트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PTF180101S V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H32259-2 공급자 장치 패키지: H-32259-2	재고 있음3,582
PTF210101M V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: PG-RFP-10	재고 있음5,400
PTF210451E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-30265-2	재고 있음8,568
PTF210451F V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-31265-2	재고 있음6,228
PTF240101S V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.68GHZ H-32259-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.68GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H32259-2 공급자 장치 패키지: H-32259-2	재고 있음4,500
PTFA041501E-V4-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 420MHz ~ 500MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음3,420
PTFA041501E-V4-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 150W H36248-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 470MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음2,898
PTFA041501F-V4-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 420MHz ~ 500MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음3,996
PTFA041501F-V4-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 150W H37248-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 470MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음4,698
PTFA041501GL V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 470MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: PG-63248-2	재고 있음3,472
PTFA041501GL V1 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 470MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: PG-63248-2	재고 있음8,082
PTFA041501HL V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 470MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: PG-64248-2	재고 있음8,424
PTFA041501HL V1 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 470MHz 이득: 21dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: PG-64248-2	재고 있음4,932
PTFA043002E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 800MHz 이득: 16dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.55A 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-30275-4	재고 있음3,418
PTFA070601EV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 60W H36265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 760MHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음2,196
PTFA070601EV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 60W H36265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 760MHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음5,382
PTFA070601FV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 60W H37265-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 760MHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음5,472
PTFA070601FV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 60W H37265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 760MHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음6,084
PTFA071701EV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 170W H36248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 765MHz 이득: 18.7dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음4,572
PTFA071701EV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 170W H36248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 765MHz 이득: 18.7dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음8,424
PTFA071701FV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 170W H37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 765MHz 이득: 18.7dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음7,254
PTFA071701FV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 170W H37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 765MHz 이득: 18.7dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음6,498
PTFA072401ELV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 240W H33288-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 765MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-33288-2	재고 있음7,956
PTFA072401ELV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 240W H33288-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 765MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.8A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-33288-2	재고 있음8,352
PTFA072401FL-V5-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 30V H-34288-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 725MHz ~ 770MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 240W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-34288-2	재고 있음8,514
PTFA072401FL-V5-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RFP-LDMOS GOLDMOS 8 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,888
PTFA080551E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 55W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음8,208
PTFA080551E-V4-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 869MHz ~ 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 55W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음3,222
PTFA080551E-V4-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 55W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음7,632
PTFA080551EV4T500XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,878

PTF180101S V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.99GHz
이득: 19dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 180mA
전원-출력: 10W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H32259-2
공급자 장치 패키지: H-32259-2

재고 있음3,582

PTF210101M V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 15dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 180mA
전원-출력: 10W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지: PG-RFP-10

재고 있음5,400

PTF210451E V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 45W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-30265-2

재고 있음8,568

PTF210451F V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.17GHz
이득: 14dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 500mA
전원-출력: 45W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-31265-2

재고 있음6,228

PTF240101S V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 2.68GHZ H-32259-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 2.68GHz
이득: 16dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 180mA
전원-출력: 10W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H32259-2
공급자 장치 패키지: H-32259-2

재고 있음4,500

PTFA041501E-V4-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 420MHz ~ 500MHz
이득: 21dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음3,420

PTFA041501E-V4-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 150W H36248-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 470MHz
이득: 21dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음2,898

PTFA041501F-V4-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 420MHz ~ 500MHz
이득: 21dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음3,996

PTFA041501F-V4-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 150W H37248-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 470MHz
이득: 21dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음4,698

PTFA041501GL V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 470MHz
이득: 21dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: PG-63248-2

재고 있음3,472

PTFA041501GL V1 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 470MHz
이득: 21dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: PG-63248-2

재고 있음8,082

PTFA041501HL V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 470MHz
이득: 21dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: PG-64248-2

재고 있음8,424

PTFA041501HL V1 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 470MHz
이득: 21dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: PG-64248-2

재고 있음4,932

PTFA043002E V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 800MHz
이득: 16dB
전압-테스트: 32V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.55A
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-30275-4

재고 있음3,418

PTFA070601EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 60W H36265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 760MHz
이득: 19.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 60W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음2,196

PTFA070601EV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 60W H36265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 760MHz
이득: 19.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 60W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음5,382

PTFA070601FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 60W H37265-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 760MHz
이득: 19.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 60W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음5,472

PTFA070601FV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 60W H37265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 760MHz
이득: 19.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 60W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음6,084

PTFA071701EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 170W H36248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 765MHz
이득: 18.7dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음4,572

PTFA071701EV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 170W H36248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 765MHz
이득: 18.7dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음8,424

PTFA071701FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 170W H37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 765MHz
이득: 18.7dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음7,254

PTFA071701FV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 170W H37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 765MHz
이득: 18.7dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 900mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음6,498

PTFA072401ELV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 240W H33288-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 765MHz
이득: 19dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.8A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-33288-2

재고 있음7,956

PTFA072401ELV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 240W H33288-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 765MHz
이득: 19dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.8A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-33288-2

재고 있음8,352

PTFA072401FL-V5-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 30V H-34288-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 725MHz ~ 770MHz
이득: 19dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.9A
전원-출력: 240W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-34288-2

재고 있음8,514

PTFA072401FL-V5-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RFP-LDMOS GOLDMOS 8

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,888

PTFA080551E V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 55W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음8,208

PTFA080551E-V4-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 869MHz ~ 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 450mA
전원-출력: 55W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음3,222

PTFA080551E-V4-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 55W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음7,632

PTFA080551EV4T500XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,878

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