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PTFA192001EV4R0XTMA1

PTFA192001EV4R0XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFA192001EV4R0XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFA192001EV4R0XTMA1
설명 RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,238
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 5 - 7월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA192001EV4R0XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA192001EV4R0XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA192001EV4R0XTMA1, PTFA192001EV4R0XTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 427.7 KB)
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  • PTFA192001EV4R0XTMA1 Distributor

PTFA192001EV4R0XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.93GHz ~ 1.99GHz
이득15.9dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트1.6A
전원-출력200W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-36260-2

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전원-출력

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STMicroelectronics

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28V

전류 정격 (Amps)

9A

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현재-테스트

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전원-출력

59W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

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주파수

3.5GHz

이득

13dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

6mA

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

14W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

14-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

14-DFN (3x6)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

22dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

70mA

전원-출력

28.8dBm

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PLD-1.5W

공급자 장치 패키지

PLD-1.5W

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