트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PTFA092211ELV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 220W H33288-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 940MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.75A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-33288-2	재고 있음3,276
PTFA092211ELV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF LDMOS 220W H33288-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 940MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.75A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-33288-2	재고 있음8,550
PTFA092211FLV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz ~ 960MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.75A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-34288-2	재고 있음8,532
PTFA092211FLV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz ~ 960MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 175mA 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-34288-2	재고 있음2,790
PTFA092213ELV4R0XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RFP-LDMOS GOLDMOS 8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,880
PTFA092213ELV4R250XTMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF FET LDMOS H-33288-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,160
PTFA092213ELV4T400XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF FET LDMOS H-33288-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,330
PTFA092213FLV5R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS H-34288-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.85A 전원-출력: 200W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-34288-2	재고 있음6,624
PTFA092213FLV5XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS H-34288-4/2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.85A 전원-출력: 200W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-34288-4/2	재고 있음6,678
PTFA142401ELV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.5GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 240W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-33288-2	재고 있음8,820
PTFA142401ELV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.5GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 240W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-33288-2	재고 있음7,524
PTFA142401FLV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 240W H-34288-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.5GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 240W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-34288-2	재고 있음4,122
PTFA180701E-V4-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 70W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음8,982
PTFA180701E-V4-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.84GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음7,686
PTFA180701FV4FWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.84GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음7,110
PTFA180701FV4R0XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 70W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음7,254
PTFA180701FV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.84GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음3,240
PTFA181001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음3,924
PTFA181001E V4 T500 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음8,784
PTFA181001EV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음6,156
PTFA181001FV4R250FTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음4,662
PTFA181001FV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음2,988
PTFA181001GL V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: PG-63248-2	재고 있음6,516
PTFA181001GL V1 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: PG-63248-2	재고 있음5,940
PTFA181001HL V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: PG-64248-2	재고 있음5,148
PTFA181001HL V1 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 100W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: PG-64248-2	재고 있음8,226
PTFA190451EV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 11W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음4,302
PTFA190451EV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 11W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-36265-2 공급자 장치 패키지: H-36265-2	재고 있음2,646
PTFA190451FV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 11W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음5,868
PTFA190451FV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 11W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음6,048

PTFA092211ELV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 220W H33288-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 940MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.75A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-33288-2

재고 있음3,276

PTFA092211ELV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF LDMOS 220W H33288-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 940MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.75A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-33288-2

재고 있음8,550

PTFA092211FLV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 920MHz ~ 960MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.75A
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-34288-2

재고 있음8,532

PTFA092211FLV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 920MHz ~ 960MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 175mA
전원-출력: 50W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-34288-2

재고 있음2,790

PTFA092213ELV4R0XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RFP-LDMOS GOLDMOS 8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,880

PTFA092213ELV4R250XTMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF FET LDMOS H-33288-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,160

PTFA092213ELV4T400XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF FET LDMOS H-33288-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,330

PTFA092213FLV5R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS H-34288-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.85A
전원-출력: 200W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-34288-2

재고 있음6,624

PTFA092213FLV5XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS H-34288-4/2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 1.85A
전원-출력: 200W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-34288-4/2

재고 있음6,678

PTFA142401ELV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.5GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 2A
전원-출력: 240W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-33288-2

재고 있음8,820

PTFA142401ELV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.5GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 2A
전원-출력: 240W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-33288-2

재고 있음7,524

PTFA142401FLV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 240W H-34288-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.5GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 2A
전원-출력: 240W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-34288-2

재고 있음4,122

PTFA180701E-V4-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 70W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음8,982

PTFA180701E-V4-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.84GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 60W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음7,686

PTFA180701FV4FWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.84GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 60W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음7,110

PTFA180701FV4R0XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 70W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음7,254

PTFA180701FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.84GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 550mA
전원-출력: 60W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음3,240

PTFA181001EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음3,924

PTFA181001E V4 T500

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 45W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음8,784

PTFA181001EV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음6,156

PTFA181001FV4R250FTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음4,662

PTFA181001FV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음2,988

PTFA181001GL V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: PG-63248-2

재고 있음6,516

PTFA181001GL V1 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: PG-63248-2

재고 있음5,940

PTFA181001HL V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: PG-64248-2

재고 있음5,148

PTFA181001HL V1 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.88GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 1µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 100W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: PG-64248-2

재고 있음8,226

PTFA190451EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 450mA
전원-출력: 11W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음4,302

PTFA190451EV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 450mA
전원-출력: 11W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: H-36265-2
공급자 장치 패키지: H-36265-2

재고 있음2,646

PTFA190451FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 450mA
전원-출력: 11W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음5,868

PTFA190451FV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 1.96GHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 450mA
전원-출력: 11W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음6,048

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