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PTFA191001EV4R250XTMA1

PTFA191001EV4R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFA191001EV4R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFA191001EV4R250XTMA1
설명 IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,218
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA191001EV4R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA191001EV4R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA191001EV4R250XTMA1, PTFA191001EV4R250XTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 250.38 KB)
PDFPTFA191001F V4 R250 데이터 시트 표지
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  • PTFA191001EV4R250XTMA1 Distributor

PTFA191001EV4R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.96GHz
이득17dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력44dBm
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지H-36248-2

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NXP

제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

100MHz

이득

-

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

5mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

21.8dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

4.2µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

317W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

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PTFA080551F-V4-R250

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시리즈

-

트랜지스터 유형

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37265-2

PTFA192001FV4FWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

15.9dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

175MHz

이득

13dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

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