트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PTFA080551F V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 55W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음4,122
PTFA080551F-V4-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 869MHz ~ 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 55W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음4,770
PTFA080551F-V4-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 55W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37265-2	재고 있음5,886
PTFA081501E1V4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF FET LDMOS H-36248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,654
PTFA081501E1V4T500XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF FET LDMOS H-36248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,770
PTFA081501E1V4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF FET LDMOS H-36248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,156
PTFA081501E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 900MHZ H-30248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 900MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-30248-2	재고 있음3,762
PTFA081501F V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 900MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 950mA 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-31248-2	재고 있음3,852
PTFA082201E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 894MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.95A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음5,490
PTFA082201EV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 894MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.95A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음2,124
PTFA082201EV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 894MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.95A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음2,754
PTFA082201F V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 894MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.95A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음5,166
PTFA082201FV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 894MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.95A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음3,474
PTFA082201FV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 894MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.95A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음6,048
PTFA091201E-V4-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz ~ 960MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 120W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음2,484
PTFA091201E-V4-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 110W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음8,442
PTFA091201FV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 110W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음8,100
PTFA091201FV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 110W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37248-2	재고 있음8,982
PTFA091201GL V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 110W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: PG-63248-2	재고 있음7,164
PTFA091201GL V1 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 110W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: PG-63248-2	재고 있음2,322
PTFA091201HL V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 110W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: PG-64248-2	재고 있음3,420
PTFA091201HL V1 R250 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 110W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: PG-64248-2	재고 있음8,442
PTFA091503ELV4R0XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz ~ 960MHz 이득: 17dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.25A 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-33288-6	재고 있음5,508
PTFA091503ELV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,064
PTFA092201E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.85A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음7,920
PTFA092201E-V4-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz ~ 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.85A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음3,618
PTFA092201E-V4-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.85A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-36260-2	재고 있음7,290
PTFA092201F V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.85A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음6,570
PTFA092201FV4R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.85A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음2,574
PTFA092201FV4XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.85A 전원-출력: 220W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-37260-2	재고 있음2,250

PTFA080551F V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 55W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음4,122

PTFA080551F-V4-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 869MHz ~ 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 450mA
전원-출력: 55W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음4,770

PTFA080551F-V4-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 600mA
전원-출력: 55W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37265-2

재고 있음5,886

PTFA081501E1V4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF FET LDMOS H-36248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,654

PTFA081501E1V4T500XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF FET LDMOS H-36248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,770

PTFA081501E1V4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC RF FET LDMOS H-36248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,156

PTFA081501E V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 900MHZ H-30248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 900MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 950mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-30248-2

재고 있음3,762

PTFA081501F V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: GOLDMOS®
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 900MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 950mA
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-31248-2

재고 있음3,852

PTFA082201E V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 894MHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 894MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.95A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음5,490

PTFA082201EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 894MHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 894MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.95A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음2,124

PTFA082201EV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 894MHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 894MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.95A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음2,754

PTFA082201F V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 894MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.95A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음5,166

PTFA082201FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 894MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.95A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음3,474

PTFA082201FV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 894MHz
이득: 18dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.95A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음6,048

PTFA091201E-V4-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 920MHz ~ 960MHz
이득: 19dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 120W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음2,484

PTFA091201E-V4-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 19dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 110W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36248-2

재고 있음8,442

PTFA091201FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 19dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 110W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음8,100

PTFA091201FV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 19dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 110W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37248-2

재고 있음8,982

PTFA091201GL V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 110W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: PG-63248-2

재고 있음7,164

PTFA091201GL V1 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 110W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: PG-63248-2

재고 있음2,322

PTFA091201HL V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 110W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: PG-64248-2

재고 있음3,420

PTFA091201HL V1 R250

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 28V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 750mA
전원-출력: 110W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: PG-64248-2

재고 있음8,442

PTFA091503ELV4R0XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 920MHz ~ 960MHz
이득: 17dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.25A
전원-출력: 150W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-33288-6

재고 있음5,508

PTFA091503ELV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
주파수: -
이득: -
전압-테스트: -
전류 정격 (Amps): -
소음 수치: -
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,064

PTFA092201E V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 960MHZ H-36260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.85A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음7,920

PTFA092201E-V4-R0

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 920MHz ~ 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.85A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음3,618

PTFA092201E-V4-R250

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 65V 960MHZ H-36260-2

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.85A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지: H-36260-2

재고 있음7,290

PTFA092201F V1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.85A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음6,570

PTFA092201FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.85A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음2,574

PTFA092201FV4XWSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: LDMOS
주파수: 960MHz
이득: 18.5dB
전압-테스트: 30V
전류 정격 (Amps): 10µA
소음 수치: -
현재-테스트: 1.85A
전원-출력: 220W
전압-정격: 65V
패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지: H-37260-2

재고 있음2,250

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