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PTFA191001F V4

PTFA191001F V4

참조 용

부품 번호 PTFA191001F V4
PNEDA 부품 번호 PTFA191001F-V4
설명 IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,928
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 30 - 7월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA191001F V4 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA191001F V4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA191001F V4, PTFA191001F V4 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 250.38 KB)
PDFPTFA191001F V4 R250 데이터 시트 표지
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  • PTFA191001F V4 Distributor

PTFA191001F V4 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.96GHz
이득17dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력44dBm
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-37248-2

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47W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS

주파수

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이득

16dB

전압-테스트

32V

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주파수

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13.5dB

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26V

전류 정격 (Amps)

4.5A

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT467C

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

225MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1000W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

20dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.7dB

현재-테스트

-

전원-출력

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전압-정격

7V

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