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PTFA192001E1V4R250XTMA1

PTFA192001E1V4R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFA192001E1V4R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFA192001E1V4R250XTMA1
설명 IC RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,704
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 3 - 7월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA192001E1V4R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA192001E1V4R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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PTFA192001E1V4R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득15.9dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.8A
전원-출력50W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-33288-2

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주파수

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이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

SOT-262A1

공급자 장치 패키지

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

19dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerFLAT™ (5x5)

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

920MHz ~ 960MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.3GHz

이득

14.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

66W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

PTFA212001EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36260-2

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