트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF8P29300HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.9GHz 이득: 13.3dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 320W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음3,132
MRF8P29300HSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.9GHz 이득: 13.3dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 320W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음2,610
MRF8P8300HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 820MHz 이득: 20.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 96W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음4,320
MRF8P8300HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 820MHz 이득: 20.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 96W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음5,346
MRF8P8300HSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 820MHz 이득: 20.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 96W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음3,888
MRF8P9040GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 960MHz 이득: 19.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 320mA 전원-출력: 4W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: TO-270BB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4 Gull	재고 있음3,510
MRF8P9040NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 960MHz 이득: 19.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 320mA 전원-출력: 4W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: TO-272-4 공급자 장치 패키지: TO-272-4	재고 있음8,964
MRF8P9040NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 960MHz 이득: 19.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 320mA 전원-출력: 4W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: TO-272-4 공급자 장치 패키지: TO-272-4	재고 있음2,196
MRF8P9210NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ OM780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 960MHz 이득: 16.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 63W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음3,618
MRF8P9300HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 960MHz 이득: 19.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.4A 전원-출력: 100W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음2,718
MRF8P9300HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 960MHz 이득: 19.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.4A 전원-출력: 100W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음4,968
MRF8P9300HSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 960MHz 이득: 19.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 2.4A 전원-출력: 100W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음7,992
MRF8S18120HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.81GHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 72W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음3,312
MRF8S18120HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.81GHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 72W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음8,208
MRF8S18120HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.81GHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 72W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음5,724
MRF8S18120HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.81GHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 72W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음5,814
MRF8S18210WGHSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 1.93GHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880XS-2 GW 공급자 장치 패키지: NI-880XS-2 Gull	재고 있음3,348
MRF8S18210WGHSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 1.93GHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880XS-2 GW 공급자 장치 패키지: NI-880XS-2 Gull	재고 있음3,870
MRF8S18210WHSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 1.93GHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880XS 공급자 장치 패키지: NI-880XS	재고 있음7,020
MRF8S18210WHSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 1.93GHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880XS 공급자 장치 패키지: NI-880XS	재고 있음5,004
MRF8S18260HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.81GHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 74W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-1110A 공급자 장치 패키지: NI1230-8	재고 있음2,286
MRF8S18260HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.81GHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 74W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-1110A 공급자 장치 패키지: NI1230-8	재고 있음8,910
MRF8S18260HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.81GHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 74W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-1110B 공급자 장치 패키지: NI1230S-8	재고 있음8,730
MRF8S18260HSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.81GHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 74W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-1110B 공급자 장치 패키지: NI1230S-8	재고 있음6,516
MRF8S19140HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ NI780H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 19.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 34W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,192
MRF8S19140HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 19.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 34W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,156
MRF8S19140HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.96GHz 이득: 19.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 34W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,048
MRF8S19260HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.99GHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 74W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-1110A 공급자 장치 패키지: NI1230-8	재고 있음7,380
MRF8S19260HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.99GHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 74W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-1110B 공급자 장치 패키지: NI1230S-8	재고 있음7,542
MRF8S19260HSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.99GHz 이득: 18.2dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 74W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-1110B 공급자 장치 패키지: NI1230S-8	재고 있음4,698

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