트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF7S19080HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 24W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음7,254
MRF7S19100NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO272-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 29W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-272BB 공급자 장치 패키지: TO-272 WB-4	재고 있음5,400
MRF7S19100NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 29W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음7,146
MRF7S19120NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 36W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270AB 공급자 장치 패키지: TO-270 WB-4	재고 있음4,104
MRF7S19170HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 17.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음8,154
MRF7S19170HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 17.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음7,830
MRF7S19170HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 17.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음6,714
MRF7S19170HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 17.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음7,758
MRF7S19210HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음2,988
MRF7S19210HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음4,410
MRF7S19210HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음5,400
MRF7S19210HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,408
MRF7S21080HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 22W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음8,226
MRF7S21080HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 22W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음2,250
MRF7S21080HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 22W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음7,470
MRF7S21080HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 22W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,068
MRF7S21110HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 17.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 33W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음5,094
MRF7S21110HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 17.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 33W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음3,708
MRF7S21110HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 17.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 33W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음8,568
MRF7S21110HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 17.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 33W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음5,094
MRF7S21150HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.35A 전원-출력: 44W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음8,334
MRF7S21150HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.35A 전원-출력: 44W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음2,178
MRF7S21150HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.35A 전원-출력: 44W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음7,686
MRF7S21150HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.35A 전원-출력: 44W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음8,226
MRF7S21170HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음7,812
MRF7S21170HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음8,136
MRF7S21170HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-88OS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음7,290
MRF7S21210HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음5,382
MRF7S21210HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,912
MRF7S21210HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음7,542

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