트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF8S9100HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 920MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz 이득: 19.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 72W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음8,064
MRF8S9100HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 920MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz 이득: 19.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 72W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음8,928
MRF8S9100HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 920MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz 이득: 19.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 72W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음5,148
MRF8S9100HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 920MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz 이득: 19.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 72W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,392
MRF8S9102NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 920MHZ OM780-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz 이득: 23.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 750mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음3,438
MRF8S9120NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 960MHZ QM780-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 19.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 33W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음3,870
MRF8S9170NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 920MHZ OM780-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz 이득: 19.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 50W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음3,888
MRF8S9200NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 940MHZ OM780-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 940MHz 이득: 19.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 58W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음6,516
MRF8S9202GNR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 920MHZ OM780-2G 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 920MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 58W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음5,922
MRF8S9202NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 920MHZ OM780-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 920MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.3A 전원-출력: 58W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음3,636
MRF8S9220HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 960MHZ NI780H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 19.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 65W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음5,706
MRF8S9220HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 960MHZ NI780H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 19.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 65W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,380
MRF8S9220HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 960MHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 19.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 65W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,034
MRF8S9232NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 960MHZ OM780-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 960MHz 이득: 18.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 63W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음6,948
MRF8S9260HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 960MHZ NI-880H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.7A 전원-출력: 75W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음2,646
MRF8S9260HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 960MHZ NI-880H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.7A 전원-출력: 75W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음8,874
MRF8S9260HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 960MHZ NI-880HS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.7A 전원-출력: 75W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음3,186
MRF8VP13350GNR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 350W 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.3GHz 이득: 19.2dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 350W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: OM-780G-4L 공급자 장치 패키지: OM-780G-4L	재고 있음4,014
MRF8VP13350NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 350W 50V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.3GHz 이득: 19.2dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 350W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: OM780-4 공급자 장치 패키지: OM780-4	재고 있음2,448
MRF8VP13350NR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 700MHz ~ 1.3GHz 이득: 19.2dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 350W 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: OM-780-4L 공급자 장치 패키지: OM-780-4L	재고 있음8,280
MRF9002NR2 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 960MHZ 16-PFP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 25mA 전원-출력: 37dBm 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 16-SOP (0.276", 7.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-PFP	재고 있음3,384
MRF9030GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF TO-270-2 GW 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270-2 GULL	재고 있음6,624
MRF9030LR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 945MHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음2,100
MRF9030LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 945MHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음7,038
MRF9030LSR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 945MHZ NI-360S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-360S 공급자 장치 패키지: NI-360S	재고 있음5,688
MRF9030LSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 68V 945MHZ NI-360S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 68V 패키지 / 케이스: NI-360S 공급자 장치 패키지: NI-360S	재고 있음5,868
MRF9030NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ TO272-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270-2 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음7,092
MRF9030NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ TO270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 250mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음5,004
MRF9045GNR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF TO-270-2 GW 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: TO-270BA 공급자 장치 패키지: TO-270-2 GULL	재고 있음5,292
MRF9045LR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 18.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음7,560

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