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MRF8S19140HSR3

MRF8S19140HSR3

참조 용

부품 번호 MRF8S19140HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF8S19140HSR3
설명 FET RF 65V 1.96GHZ NI780HS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,156
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8S19140HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8S19140HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8S19140HSR3, MRF8S19140HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 453.31 KB)
PDFMRF8S19140HSR3 데이터 시트 표지
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MRF8S19140HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.96GHz
이득19.1dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.1A
전원-출력34W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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50mA

전원-출력

130W

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100V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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주파수

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이득

18.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

24W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

PTFA210701FV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

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