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MRF8S18210WGHSR3

MRF8S18210WGHSR3

참조 용

부품 번호 MRF8S18210WGHSR3
PNEDA 부품 번호 MRF8S18210WGHSR3
설명 FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 8 - 7월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8S18210WGHSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8S18210WGHSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8S18210WGHSR3, MRF8S18210WGHSR3 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 815.76 KB)
PDFMRF8S18210WHSR5 데이터 시트 표지
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MRF8S18210WGHSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수1.93GHz
이득17.8dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력50W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-880XS-2 GW
공급자 장치 패키지NI-880XS-2 Gull

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전압-테스트

2.7V

전류 정격 (Amps)

100mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

14.6dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

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LDMOS

주파수

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이득

17dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

2A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

5W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

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주파수

10GHz

이득

9dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

100mA

소음 수치

0.81dB

현재-테스트

20mA

전원-출력

12dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

0402 (1005 Metric)

공급자 장치 패키지

0402

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H32259-2

공급자 장치 패키지

H-32259-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

15.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

23W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

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