트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF9045LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 18.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360 Short Lead	재고 있음6,912
MRF9045LSR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ NI-360S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 18.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360S 공급자 장치 패키지: NI-360S	재고 있음5,256
MRF9045LSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ NI-360S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 18.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360S 공급자 장치 패키지: NI-360S	재고 있음5,436
MRF9045NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ TO272-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-272-2 공급자 장치 패키지: TO-272-2	재고 있음2,772
MRF9045NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ TO270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음7,866
MRF9060LR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 17dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360	재고 있음3,258
MRF9060LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ NI-360 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 17dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360 공급자 장치 패키지: NI-360 Short Lead	재고 있음5,058
MRF9060LSR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ NI-360S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 17dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360S 공급자 장치 패키지: NI-360S	재고 있음8,730
MRF9060LSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ NI-360S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 17dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-360S 공급자 장치 패키지: NI-360S	재고 있음4,014
MRF9060NBR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ TO272-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-272-2 공급자 장치 패키지: TO-272-2	재고 있음5,580
MRF9060NR1 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 945MHZ TO270-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 945MHz 이득: 18dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 60W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: TO-270AA 공급자 장치 패키지: TO-270-2	재고 있음5,832
MRF9080LR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 960MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 70W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,012
MRF9080LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 960MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 70W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음3,600
MRF9085LR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 90W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음2,844
MRF9085LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC MOSFET RF N-CHAN NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 90W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음8,838
MRF9085LSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 90W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,842
MRF9085LSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 90W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,500
MRF9120LR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ NI-860 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 120W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-860 공급자 장치 패키지: NI-860	재고 있음3,258
MRF9120LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ NI-860 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1A 전원-출력: 120W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-860 공급자 장치 패키지: NI-860	재고 있음2,088
MRF9135LR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 25W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음4,716
MRF9135LR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 25W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,200
MRF9135LSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 25W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,970
MRF9135LSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.8dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.1A 전원-출력: 25W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음6,210
MRF9180R5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 170W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음6,264
MRF9180R6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ NI-1230 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 170W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음5,400
MRF9210R3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ 860C3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 40W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음3,690
MRF9210R5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 880MHZ 860C3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 26V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.9A 전원-출력: 40W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음3,978
MRFE6P3300HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 863MHZ NI-860C3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 857MHz ~ 863MHz 이득: 20.4dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 270W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음5,670
MRFE6P3300HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 863MHZ NI-860C3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 857MHz ~ 863MHz 이득: 20.4dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 270W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음5,256
MRFE6P9220HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 66V 880MHZ NI-860C3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 880MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.6A 전원-출력: 47W 전압-정격: 66V 패키지 / 케이스: NI-860C3 공급자 장치 패키지: NI-860C3	재고 있음7,974

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