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MRF8S18120HSR5

MRF8S18120HSR5

참조 용

부품 번호 MRF8S18120HSR5
PNEDA 부품 번호 MRF8S18120HSR5
설명 FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,814
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 10 - 7월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8S18120HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8S18120HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8S18120HSR5, MRF8S18120HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 459.85 KB)
PDFMRF8S18120HSR5 데이터 시트 표지
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MRF8S18120HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.81GHz
이득18.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트800mA
전원-출력72W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

15.9dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36260-2

LET9060STR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

17.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

60W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

56W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1252-1

공급자 장치 패키지

DFM8

PTRA094252FC-V1-R2

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

746MHz ~ 960MHz

이득

23dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

351.5W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

BF244B_J35Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

100MHz

이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

50mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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