트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF7S21210HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 63W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,178
MRF7S24250N-3STG NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MRF7S24250N-3STG 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,186
MRF7S24250NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANS RF LDMOS 250W 32V 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.45GHz 이득: 14.7dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 256W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음6,948
MRF7S27130HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.7GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.7GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 23W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,174
MRF7S27130HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.7GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.7GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 23W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,318
MRF7S27130HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.7GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.7GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 23W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음3,636
MRF7S27130HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.7GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.7GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 23W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음10,643
MRF7S35015HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.1GHz ~ 3.5GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 15W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S-2S 공급자 장치 패키지: NI-400S-2S	재고 있음3,798
MRF7S35015HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.1GHz ~ 3.5GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 15W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S-2S 공급자 장치 패키지: NI-400S-2S	재고 있음7,704
MRF7S35120HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.1GHz ~ 3.5GHz 이득: 12dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 120W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,070
MRF7S35120HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.1GHz ~ 3.5GHz 이득: 12dB 전압-테스트: 32V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 120W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음4,608
MRF7S38010HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 160mA 전원-출력: 2W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400-240 공급자 장치 패키지: NI-400-240	재고 있음7,128
MRF7S38010HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 160mA 전원-출력: 2W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400-240 공급자 장치 패키지: NI-400-240	재고 있음3,564
MRF7S38010HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 160mA 전원-출력: 2W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S-2S 공급자 장치 패키지: NI-400S-2S	재고 있음2,034
MRF7S38010HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 160mA 전원-출력: 2W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S-2S 공급자 장치 패키지: NI-400S-2S	재고 있음7,326
MRF7S38040HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 8W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400-240 공급자 장치 패키지: NI-400-240	재고 있음5,058
MRF7S38040HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 8W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400-240 공급자 장치 패키지: NI-400-240	재고 있음4,752
MRF7S38040HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 8W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S-2S 공급자 장치 패키지: NI-400S-2S	재고 있음5,454
MRF7S38040HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 8W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S-2S 공급자 장치 패키지: NI-400S-2S	재고 있음5,814
MRF7S38075HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음4,140
MRF7S38075HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,596
MRF7S38075HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,070
MRF7S38075HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 3.6GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 3.4GHz ~ 3.6GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 30V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음3,978
MRF8HP21080HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.17GHz 이득: 14.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 16W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음8,100
MRF8HP21080HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.17GHz 이득: 14.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 16W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음3,582
MRF8HP21080HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.17GHz 이득: 14.4dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 16W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S-4 공급자 장치 패키지: NI-780S-4	재고 있음5,238
MRF8HP21130HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.17GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 360mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음3,420
MRF8HP21130HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.17GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 360mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI780-4 공급자 장치 패키지: NI-780-4	재고 있음5,220
MRF8HP21130HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.17GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 360mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S-4 공급자 장치 패키지: NI-780S-4	재고 있음3,490
MRF8HP21130HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.17GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 360mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S-4 공급자 장치 패키지: NI-780S-4	재고 있음4,104

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