트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
MRF8S21100HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI780H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 2.17GHz 이득: 18.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 24W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음4,572
MRF8S21100HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI780H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 2.17GHz 이득: 18.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 24W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,462
MRF8S21100HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 18.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 24W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음5,850
MRF8S21100HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 2.17GHz 이득: 18.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: 24W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음8,640
MRF8S21120HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI780H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 17.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,146
MRF8S21120HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 17.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 850mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,304
MRF8S21140HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 970mA 전원-출력: 34W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음5,364
MRF8S21140HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 970mA 전원-출력: 34W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음6,408
MRF8S21140HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 970mA 전원-출력: 34W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음3,006
MRF8S21140HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 17.9dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 970mA 전원-출력: 34W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음8,298
MRF8S21200HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.14GHz 이득: 18.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 48W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음3,078
MRF8S21200HR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.14GHz 이득: 18.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 48W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230 공급자 장치 패키지: NI-1230	재고 있음7,038
MRF8S21200HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.14GHz 이득: 18.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 48W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음5,868
MRF8S21200HSR6 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 2.14GHz 이득: 18.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 48W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-1230S 공급자 장치 패키지: NI-1230S	재고 있음8,604
MRF8S23120HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.3GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.3GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음3,508
MRF8S23120HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.3GHZ NI-780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.3GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음5,040
MRF8S23120HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.3GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음3,996
MRF8S23120HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.3GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 800mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음2,016
MRF8S26060HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.69GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 16.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 15.5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400-240 공급자 장치 패키지: NI-400-240	재고 있음3,598
MRF8S26060HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.69GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 16.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 15.5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400-240 공급자 장치 패키지: NI-400-240	재고 있음3,204
MRF8S26060HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.69GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 16.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 15.5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S-2S 공급자 장치 패키지: NI-400S-2S	재고 있음7,074
MRF8S26060HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.69GHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 16.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 450mA 전원-출력: 15.5W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-400S-2S 공급자 장치 패키지: NI-400S-2S	재고 있음7,542
MRF8S26120HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.69GHZ NI780 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 15.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: NI-780H-2L	재고 있음7,668
MRF8S26120HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.69GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 15.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음3,474
MRF8S26120HSR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.69GHZ NI780S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 15.6dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 900mA 전원-출력: 28W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: NI-780S 공급자 장치 패키지: NI-780S	재고 있음8,676
MRF8S7120NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 768MHZ 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 768MHz 이득: 19.2dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 600mA 전원-출력: 32W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음8,046
MRF8S7170NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 748MHZ OM780-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 748MHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.2A 전원-출력: 50W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음3,454
MRF8S7235NR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 728MHZ OM780-2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 728MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 63W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: OM-780-2 공급자 장치 패키지: OM-780-2	재고 있음5,544
MRF8S8260HR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 895MHZ NI880 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 895MHz 이득: 21.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 70W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-880 공급자 장치 패키지: NI-880	재고 있음8,406
MRF8S8260HSR3 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 70V 895MHZ NI880S 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 895MHz 이득: 21.1dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 70W 전압-정격: 70V 패키지 / 케이스: NI-880S 공급자 장치 패키지: NI-880S	재고 있음6,750

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