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MRF8S21120HSR3

MRF8S21120HSR3

참조 용

부품 번호 MRF8S21120HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF8S21120HSR3
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,304
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8S21120HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8S21120HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8S21120HSR3, MRF8S21120HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 555.96 KB)
PDFMRF8S21120HSR3 데이터 시트 표지
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MRF8S21120HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득17.6dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트850mA
전원-출력28W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PTFB191501FV1R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

18dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37248-2

ARF443

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

ATF-52189-TR1

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

E-pHEMT

주파수

2GHz

이득

16dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

200mA

전원-출력

27dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

SOT-143R

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