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MRF7S19210HSR3

MRF7S19210HSR3

참조 용

부품 번호 MRF7S19210HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF7S19210HSR3
설명 FET RF 65V 1.99GHZ NI780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,400
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 24 - 7월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S19210HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S19210HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S19210HSR3, MRF7S19210HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 818.57 KB)
PDFMRF7S19210HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S19210HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득20dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력63W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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30mA

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2.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

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12.5V

패키지 / 케이스

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제조업체

NXP USA Inc.

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주파수

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

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패키지 / 케이스

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시리즈

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2 N-Channel (Dual)

주파수

800MHz

이득

24dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

1.3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.5GHz

이득

14.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880X-4L4S-8

공급자 장치 패키지

NI-880X-4L4S-8

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

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이득

20.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

31A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

700W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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