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MRF7S19170HR3

MRF7S19170HR3

참조 용

부품 번호 MRF7S19170HR3
PNEDA 부품 번호 MRF7S19170HR3
설명 FET RF 65V 1.99GHZ NI-880
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,154
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 18 - 7월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S19170HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S19170HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S19170HR3, MRF7S19170HR3 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 956.55 KB)
PDFMRF7S19170HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S19170HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득17.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력50W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-880
공급자 장치 패키지NI-880

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15dB ~ 18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

6A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

30W

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

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Ampleon USA Inc.

시리즈

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주파수

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이득

22dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

11A

소음 수치

-

현재-테스트

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전원-출력

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전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

130W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-1135B

공급자 장치 패키지

CDFM2

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.42GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.15A

전원-출력

130W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

31.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

75mA

전원-출력

1.6W

전압-정격

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