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MRF7S21080HR3

MRF7S21080HR3

참조 용

부품 번호 MRF7S21080HR3
PNEDA 부품 번호 MRF7S21080HR3
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,226
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 17 - 7월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S21080HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S21080HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S21080HR3, MRF7S21080HR3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 856.2 KB)
PDFMRF7S21080HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S21080HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트800mA
전원-출력22W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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NXP USA Inc.

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28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

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현재-테스트

1.3A

전원-출력

58W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

OM-780-2

공급자 장치 패키지

OM-780-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.3GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

BF513,215

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

100MHz

이득

-

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

5mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

PD57018STR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

220MHz

이득

25dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

150W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

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