메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
GT28F160C3TA110 Intel	기억 IC FLASH 16M PARALLEL 48UBGA CSP 제조업체: Intel 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP	재고 있음8,694
GT28F320B3BA100 Intel	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP 제조업체: Intel 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP	재고 있음7,398
GT28F320B3TA100 Intel	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP 제조업체: Intel 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP	재고 있음8,154
GT28F320B3TA110 Intel	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP 제조업체: Intel 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP	재고 있음6,060
GT28F320C3BA100SB93 Intel	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP 제조업체: Intel 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP	재고 있음4,302
GT28F320C3BA110 Intel	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP 제조업체: Intel 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP	재고 있음6,288
GT28F320C3TA100SB93 Intel	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP 제조업체: Intel 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP	재고 있음7,200
GT28F320C3TA110 Intel	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP 제조업체: Intel 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP	재고 있음8,856
HM216514TTI5SE Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 44TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음3,472
HM216514TTI5SEZ Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 44TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,760
HM28100TTI5SE Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 44TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,457
HN58X25128FPIAG#S0 Renesas Electronics America	기억 IC EEPROM 128K SPI 5MHZ 8SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 128Kb (16K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 5MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,492
HN58X25256FPIAG#S0 Renesas Electronics America	기억 IC EEPROM 256K SPI 5MHZ 8SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 5MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,261
HT6256DC Honeywell Aerospace	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP 제조업체: Honeywell Aerospace 시리즈: HTMOS™ 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns 접근 시간: 50ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-CDIP	재고 있음7,434
HTEE25608 Honeywell Aerospace	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 56CPGA 제조업체: Honeywell Aerospace 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel, SPI 시계 주파수: 5MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ms 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 56-BCPGA 공급자 장치 패키지: 56-CPGA	재고 있음6,840
HTEE25608D Honeywell Aerospace	기억 IC EEPROM 256K PARALLEL 56CPGA 제조업체: Honeywell Aerospace 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel, SPI 시계 주파수: 5MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ms 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -55°C ~ 225°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 56-BCPGA 공급자 장치 패키지: 56-CPGA	재고 있음8,838
HYB18T1G800BF-3S Qimonda	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 68TFBGA 제조업체: Qimonda 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 68-TFBGA 공급자 장치 패키지: 68-TFBGA (17x10)	재고 있음7,992
HYB25D128800CE-6 Qimonda	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Qimonda 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음3,168
HYB25D512800CE-5 Qimonda	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Qimonda 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음14,364
HYB25D512800CE-6 Qimonda	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Qimonda 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음16,236
IDT6116LA20SO IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음6,120
IDT6116LA20SO8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음2,880
IDT6116LA20TP IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-PDIP	재고 있음6,462
IDT6116LA25SO IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음8,208
IDT6116LA25SO8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음4,590
IDT6116LA25TP IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: 25ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 24-PDIP	재고 있음4,644
IDT6116LA35SO IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음3,240
IDT6116LA35SO8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음4,104
IDT6116LA35SOG IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음8,316
IDT6116LA35SOG8 IDT, Integrated Device Technology	기억 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SOIC	재고 있음2,772

GT28F160C3TA110

Intel

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 48UBGA CSP

제조업체: Intel
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP

재고 있음8,694

GT28F320B3BA100

Intel

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP

제조업체: Intel
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP

재고 있음7,398

GT28F320B3TA100

Intel

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP

제조업체: Intel
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP

재고 있음8,154

GT28F320B3TA110

Intel

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP

제조업체: Intel
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP

재고 있음6,060

GT28F320C3BA100SB93

Intel

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP

제조업체: Intel
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP

재고 있음4,302

GT28F320C3BA110

Intel

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP

제조업체: Intel
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP

재고 있음6,288

GT28F320C3TA100SB93

Intel

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP

제조업체: Intel
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP

재고 있음7,200

GT28F320C3TA110

Intel

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48UBGA CSP

제조업체: Intel
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-µBGA CSP

재고 있음8,856

HM216514TTI5SE

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 44TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음3,472

HM216514TTI5SEZ

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 44TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,760

HM28100TTI5SE

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 44TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,457

HN58X25128FPIAG#S0

Renesas Electronics America

기억

IC EEPROM 128K SPI 5MHZ 8SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 128Kb (16K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 5MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,492

HN58X25256FPIAG#S0

Renesas Electronics America

기억

IC EEPROM 256K SPI 5MHZ 8SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 5MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,261

HT6256DC

Honeywell Aerospace

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP

제조업체: Honeywell Aerospace
시리즈: HTMOS™
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
접근 시간: 50ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -55°C ~ 225°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-CDIP

재고 있음7,434

HTEE25608

Honeywell Aerospace

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 56CPGA

제조업체: Honeywell Aerospace
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel, SPI
시계 주파수: 5MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ms
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -55°C ~ 225°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 56-BCPGA
공급자 장치 패키지: 56-CPGA

재고 있음6,840

HTEE25608D

Honeywell Aerospace

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 56CPGA

제조업체: Honeywell Aerospace
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel, SPI
시계 주파수: 5MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ms
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -55°C ~ 225°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 56-BCPGA
공급자 장치 패키지: 56-CPGA

재고 있음8,838

HYB18T1G800BF-3S

Qimonda

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 68TFBGA

제조업체: Qimonda
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 68-TFBGA
공급자 장치 패키지: 68-TFBGA (17x10)

재고 있음7,992

HYB25D128800CE-6

Qimonda

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Qimonda
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음3,168

HYB25D512800CE-5

Qimonda

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Qimonda
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음14,364

HYB25D512800CE-6

Qimonda

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Qimonda
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음16,236

IDT6116LA20SO

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음6,120

IDT6116LA20SO8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음2,880

IDT6116LA20TP

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-PDIP

재고 있음6,462

IDT6116LA25SO

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음8,208

IDT6116LA25SO8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음4,590

IDT6116LA25TP

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: 25ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 24-PDIP

재고 있음4,644

IDT6116LA35SO

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음3,240

IDT6116LA35SO8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음4,104

IDT6116LA35SOG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음8,316

IDT6116LA35SOG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 24-SOIC

재고 있음2,772

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