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메모리 IC

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부품 번호
설명
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IDT6116SA25TPI
IDT6116SA25TPI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음4,086
IDT6116SA35SO
IDT6116SA35SO

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음7,110
IDT6116SA35SO8
IDT6116SA35SO8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음3,150
IDT6116SA35SOI
IDT6116SA35SOI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음3,562
IDT6116SA35SOI8
IDT6116SA35SOI8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음2,718
IDT6116SA35TP
IDT6116SA35TP

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음7,308
IDT6116SA35TPG
IDT6116SA35TPG

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음5,796
IDT6116SA35TPGI
IDT6116SA35TPGI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음6,876
IDT6116SA35TPI
IDT6116SA35TPI

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음4,410
IDT6116SA45SO
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IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음17,599
IDT6116SA45SO8
IDT6116SA45SO8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음8,766
IDT6116SA45SOI
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음2,052
IDT6116SA45SOI8
IDT6116SA45SOI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 24-SOIC
재고 있음2,556
IDT6116SA45TP
IDT6116SA45TP

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음8,694
IDT6116SA45TPG
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음8,640
IDT6116SA45TPGI
IDT6116SA45TPGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음1,427
IDT6116SA45TPI
IDT6116SA45TPI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-PDIP
재고 있음3,204
IDT70824L20G
IDT70824L20G

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 84PGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 84-BPGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)
재고 있음7,506
IDT70824L20PF
IDT70824L20PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 80TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-TQFP (14x14)
재고 있음5,814
IDT70824L20PF8
IDT70824L20PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 80TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-TQFP (14x14)
재고 있음8,784
IDT70824L25G
IDT70824L25G

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 84PGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 84-BPGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)
재고 있음8,820
IDT70824L25PF
IDT70824L25PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 80TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-TQFP (14x14)
재고 있음4,464
IDT70824L25PF8
IDT70824L25PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 80TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-TQFP (14x14)
재고 있음2,412
IDT70824L25PFI
IDT70824L25PFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 80TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-TQFP (14x14)
재고 있음7,524
IDT70824L25PFI8
IDT70824L25PFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 80TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
  • 접근 시간: 25ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-TQFP (14x14)
재고 있음5,058
IDT70824L35G
IDT70824L35G

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 84PGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 84-BPGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)
재고 있음5,472
IDT70824L35PF
IDT70824L35PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 80TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-TQFP (14x14)
재고 있음8,586
IDT70824L35PF8
IDT70824L35PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 80TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-TQFP (14x14)
재고 있음5,994
IDT70824S20G
IDT70824S20G

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 84PGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 84-BPGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-PGA (27.94x27.94)
재고 있음7,470
IDT70824S20PF
IDT70824S20PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC RAM 64K PARALLEL 80TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: RAM
  • 기술: SARAM
  • 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-TQFP (14x14)
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