메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
GD25VQ16CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음7,902
GD25VQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,622
GD25VQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,274
GD25VQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,218
GD25VQ16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,984
GD25VQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음6,642
GD25VQ20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,364
GD25VQ20CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,120
GD25VQ20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,208
GD25VQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,744
GD25VQ32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 32Mb (4M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,862
GD25VQ40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음3,582
GD25VQ40CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,796
GD25VQ40CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,896
GD25VQ40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,470
GD25VQ40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,766
GD25VQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음8,370
GD25VQ80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,856
GD25VQ80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,058
GD25VQ80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,678
GD25VQ80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,120
GD25WD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Kb (64K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음5,580
GD25WD05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Kb (64K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,660
GD25WD05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Kb (64K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,092
GD25WD10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음2,016
GD25WD10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,662
GD25WD10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,776
GD25WD20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음8,190
GD25WD20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,672
GD25WD20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,700

GD25VQ16CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음7,902

GD25VQ16CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,622

GD25VQ16CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,274

GD25VQ16CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,218

GD25VQ16CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,984

GD25VQ20CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음6,642

GD25VQ20CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,364

GD25VQ20CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,120

GD25VQ20CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,208

GD25VQ20CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,744

GD25VQ32CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,862

GD25VQ40CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음3,582

GD25VQ40CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,796

GD25VQ40CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,896

GD25VQ40CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,470

GD25VQ40CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,766

GD25VQ80CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음8,370

GD25VQ80CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,856

GD25VQ80CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,058

GD25VQ80CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,678

GD25VQ80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 3ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,120

GD25WD05CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음5,580

GD25WD05CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,660

GD25WD05CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,092

GD25WD10CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음2,016

GD25WD10CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,662

GD25WD10CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,776

GD25WD20CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음8,190

GD25WD20CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,672

GD25WD20CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,700

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message