메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
GD25Q64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (5x6)	재고 있음44,374
GD25Q64CYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음3,472
GD25Q64CZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)	재고 있음4,752
GD25Q80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음66,330
GD25Q80CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (4x3)	재고 있음4,104
GD25Q80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음56,087
GD25Q80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,100
GD25Q80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,878
GD25Q80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,897
GD25Q80CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (5x6)	재고 있음4,860
GD25S512MDBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)	재고 있음6,624
GD25S512MDFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP	재고 있음2,070
GD25S512MDYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음3,132
GD25VE16CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음6,750
GD25VE16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,192
GD25VE16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,582
GD25VE16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,568
GD25VE16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,950
GD25VE20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음2,718
GD25VE20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,634
GD25VE20CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,488
GD25VE20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,520
GD25VE20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,236
GD25VE32CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 32Mb (4M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,380
GD25VE32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 32Mb (4M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-VSOP	재고 있음4,572
GD25VE40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음3,420
GD25VE40CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,772
GD25VE40CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,356
GD25VE40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,076
GD25VE40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.1V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,292

GD25Q64CWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (5x6)

재고 있음44,374

GD25Q64CYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음3,472

GD25Q64CZIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)

재고 있음4,752

GD25Q80CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음66,330

GD25Q80CNIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (4x3)

재고 있음4,104

GD25Q80CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음56,087

GD25Q80CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,100

GD25Q80CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,878

GD25Q80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,897

GD25Q80CWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (5x6)

재고 있음4,860

GD25S512MDBIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)

재고 있음6,624

GD25S512MDFIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP

재고 있음2,070

GD25S512MDYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음3,132

GD25VE16CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음6,750

GD25VE16CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,192

GD25VE16CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,582

GD25VE16CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,568

GD25VE16CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,950

GD25VE20CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음2,718

GD25VE20CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,634

GD25VE20CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,488

GD25VE20CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,520

GD25VE20CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,236

GD25VE32CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,380

GD25VE32CVIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-VSOP

재고 있음4,572

GD25VE40CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음3,420

GD25VE40CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,772

GD25VE40CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,356

GD25VE40CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,076

GD25VE40CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.1V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,292

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message