메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
GD25WD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음5,886
GD25WD40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,118
GD25WD40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,110
GD25WD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음25,860
GD25WD80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,230
GD25WD80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,982
GD5F1GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VLGA Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-LGA (6x8)	재고 있음8,802
GD5F1GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VLGA Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-LGA (6x8)	재고 있음7,866
GD5F1GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음7,830
GD5F1GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음7,938
GD5F1GQ4UFYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음6,912
GD5F1GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음6,174
GD5F2GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VLGA Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-LGA (6x8)	재고 있음7,146
GD5F2GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VLGA Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-LGA (6x8)	재고 있음3,580
GD5F2GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음2,934
GD5F2GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음5,742
GD5F2GQ4UF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VLGA Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-LGA (6x8)	재고 있음2,358
GD5F2GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음4,518
GD5F4GQ4RBYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음8,352
GD5F4GQ4RBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음2,862
GD5F4GQ4RCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음3,474
GD5F4GQ4RCYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음4,086
GD5F4GQ4UBYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음3,762
GD5F4GQ4UBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음4,050
GD5F4GQ4UCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음82
GD5F4GQ4UCYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SPI NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음6,606
GD9FS1G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SLC NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음3,384
GD9FU1G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 SLC NAND FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음7,560
GE28F160C3TD70A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 16M PARALLEL 46VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 46-VFBGA 공급자 장치 패키지: 46-VFBGA	재고 있음8,766
GE28F320C3BC90 Intel	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48VFBGA 제조업체: Intel 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA	재고 있음6,894

GD25WD40CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음5,886

GD25WD40CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,118

GD25WD40CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,110

GD25WD80CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음25,860

GD25WD80CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,230

GD25WD80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,982

GD5F1GQ4RF9IGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VLGA Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-LGA (6x8)

재고 있음8,802

GD5F1GQ4RF9IGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VLGA Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-LGA (6x8)

재고 있음7,866

GD5F1GQ4UEYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음7,830

GD5F1GQ4UEYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음7,938

GD5F1GQ4UFYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음6,912

GD5F1GQ4UFYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음6,174

GD5F2GQ4RF9IGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VLGA Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-LGA (6x8)

재고 있음7,146

GD5F2GQ4RF9IGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VLGA Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-LGA (6x8)

재고 있음3,580

GD5F2GQ4UEYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음2,934

GD5F2GQ4UEYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음5,742

GD5F2GQ4UF9IGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-VLGA Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-LGA (6x8)

재고 있음2,358

GD5F2GQ4UFYIGY

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SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 700µs
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음4,518

GD5F4GQ4RBYIGR

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SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음8,352

GD5F4GQ4RBYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음2,862

GD5F4GQ4RCYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음3,474

GD5F4GQ4RCYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음4,086

GD5F4GQ4UBYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음3,762

GD5F4GQ4UBYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음4,050

GD5F4GQ4UCYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음82

GD5F4GQ4UCYIGY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SPI NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음6,606

GD9FS1G8F2AMGI

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SLC NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음3,384

GD9FU1G8F2AMGI

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

SLC NAND FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음7,560

GE28F160C3TD70A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 46VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 46-VFBGA
공급자 장치 패키지: 46-VFBGA

재고 있음8,766

GE28F320C3BC90

Intel

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Intel
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-VFBGA

재고 있음6,894

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