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메모리 IC

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부품 번호
설명
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GD25LQ16CWIGR
GD25LQ16CWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x5)
재고 있음4,158
GD25LQ16LIGR
GD25LQ16LIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFBGA, WLCSP
  • 공급자 장치 패키지: 8-WLCSP
재고 있음8,964
GD25LQ20CEIGR
GD25LQ20CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)
재고 있음27,408
GD25LQ20COIGR
GD25LQ20COIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음2,916
GD25LQ20CTIG
GD25LQ20CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음3,418
GD25LQ20CTIGR
GD25LQ20CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음29,928
GD25LQ20CUIGR
GD25LQ20CUIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-UFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (3x2)
재고 있음6,714
GD25LQ256DWIGR
GD25LQ256DWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-WSON (5x6)
재고 있음7,308
GD25LQ256DYIGR
GD25LQ256DYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)
재고 있음3,330
GD25LQ32DNIGR
GD25LQ32DNIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-UDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (4x3)
재고 있음23,874
GD25LQ32DQIGR
GD25LQ32DQIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (4x4)
재고 있음3,132
GD25LQ32DSIG
GD25LQ32DSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음6,534
GD25LQ32DSIGR
GD25LQ32DSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음44,730
GD25LQ32DWIGR
GD25LQ32DWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-WSON (5x6)
재고 있음7,380
GD25LQ40CEIGR
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)
재고 있음25,068
GD25LQ40COIGR
GD25LQ40COIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음7,434
GD25LQ40CTIG
GD25LQ40CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음4,698
GD25LQ40CTIGR
GD25LQ40CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음23,148
GD25LQ64CQIGR
GD25LQ64CQIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (4x4)
재고 있음2,142
GD25LQ64CSIG
GD25LQ64CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음87,855
GD25LQ64CSIGR
GD25LQ64CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음5,976
GD25LQ64CVIGR
GD25LQ64CVIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-VSOP
재고 있음25,862
GD25LQ64CWIGR
GD25LQ64CWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 120MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-WSON (5x6)
재고 있음27,054
GD25LQ80CEIGR
GD25LQ80CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)
재고 있음3,564
GD25LQ80CSIG
GD25LQ80CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음5,940
GD25LQ80CSIGR
GD25LQ80CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음18,354
GD25LQ80CTIG
GD25LQ80CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음3,132
GD25LQ80CTIGR
GD25LQ80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
  • 시계 주파수: 104MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음7,614
GD25LT256EBIRY
GD25LT256EBIRY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)
재고 있음7,884
GD25LX256EBIRY
GD25LX256EBIRY

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 24-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 24-TFBGA (6x8)
재고 있음6,684