다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
MUR1620CTG ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음47,850
MUR1620CTH ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURPOSE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,510
MUR1620CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: Automotive, AEC-Q101 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 25ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,176
MUR1620CTR ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 85ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음10,436
MUR1620CTRG ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 85ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음42,942
MUR1620CTRH ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURPOSE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 85ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,280
MUR1640CT ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 400V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.30V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 60ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음184
MUR1640CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 400V 16A TO220AB 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,592
MUR1640CTG ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 400V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.30V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 60ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,636
MUR1640CTH ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURPOSE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 60ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,698
MUR1640CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 400V 16A TO220AB 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: Automotive, AEC-Q101 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음5,058
MUR1660CT ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 60ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음264
MUR1660CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,408
MUR1660CTG ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 60ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음15,888
MUR1660CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: Automotive, AEC-Q101 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,662
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음7,398
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음8,316
MUR20010CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음6,336
MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음3,978
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음2,736
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음3,618
MUR20040CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음2,862
MUR20040CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음2,124
MUR20060CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 110ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음3,924
MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 110ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음3,780
MUR2020CT Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: FRED Pt® 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 850mV @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 15µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,390
MUR2X030A02 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 30A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 60ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,138
MUR2X030A04 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 30A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음8,532
MUR2X030A06 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 30A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 60ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,688
MUR2X030A10 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 1000V 60A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 30A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 85ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1000V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,014

MUR1620CTG

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음47,850

MUR1620CTH

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURPOSE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,510

MUR1620CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: Automotive, AEC-Q101
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 25ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,176

MUR1620CTR

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 85ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음10,436

MUR1620CTRG

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 85ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음42,942

MUR1620CTRH

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURPOSE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 85ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,280

MUR1640CT

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 400V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.30V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 60ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음184

MUR1640CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 400V 16A TO220AB

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 50ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,592

MUR1640CTG

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 400V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.30V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 60ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,636

MUR1640CTH

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURPOSE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 60ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,698

MUR1640CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 400V 16A TO220AB

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: Automotive, AEC-Q101
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 50ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 400V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음5,058

MUR1660CT

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 60ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음264

MUR1660CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 50ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,408

MUR1660CTG

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 60ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음15,888

MUR1660CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: Automotive, AEC-Q101
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 50ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,662

MUR20005CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음7,398

MUR20005CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음8,316

MUR20010CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음6,336

MUR20010CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음3,978

MUR20020CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음2,736

MUR20020CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음3,618

MUR20040CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음2,862

MUR20040CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음2,124

MUR20060CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 110ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음3,924

MUR20060CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 110ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음3,780

MUR2020CT

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: FRED Pt®
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 850mV @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 15µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,390

MUR2X030A02

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 30A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 60ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,138

MUR2X030A04

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 30A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 30A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음8,532

MUR2X030A06

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 30A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 60ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,688

MUR2X030A10

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 1000V 60A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 30A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 85ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1000V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,014

Send Message

Certifications

다이오드 및 정류기

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message