Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

다이오드 및 정류기

기록 98,997
페이지 448/3300
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
MSRT20060(A)D
MSRT20060(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음5,598
MSRT20080(A)
MSRT20080(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음7,542
MSRT20080(A)D
MSRT20080(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음4,860
MSRT250100(A)
MSRT250100(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 250A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 15µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음8,802
MSRT250120(A)
MSRT250120(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 250A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 15µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음5,436
MSRT250140(A)
MSRT250140(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 250A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 15µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음7,110
MSRT250160(A)
MSRT250160(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 250A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 15µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음6,534
MSRT25060(A)
MSRT25060(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 250A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 15µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음6,534
MSRT25080(A)
MSRT25080(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 250A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 15µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음3,204
MSRTA200100(A)D
MSRTA200100(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음4,266
MSRTA200120(A)D
MSRTA200120(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1200V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음5,382
MSRTA200140(A)D
MSRTA200140(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1400V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음3,204
MSRTA200160(A)D
MSRTA200160(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음6,282
MSRTA20060(A)D
MSRTA20060(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음3,562
MSRTA20080(A)D
MSRTA20080(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음8,928
MSRTA300100(A)D
MSRTA300100(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 300A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 20µA @ 1000V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음3,510
MSRTA300120(A)D
MSRTA300120(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 300A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음8,010
MSRTA300140(A)D
MSRTA300140(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 300A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 20µA @ 1400V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음6,714
MSRTA300160(A)D
MSRTA300160(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 300A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음4,284
MSRTA30060(A)
MSRTA30060(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 300A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음7,074
MSRTA30060(A)D
MSRTA30060(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 300A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 20µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음5,148
MSRTA30080(A)
MSRTA30080(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 300A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음2,100
MSRTA30080(A)D
MSRTA30080(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 800V 300A 3 TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 300A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 20µA @ 800V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음3,168
MSRTA400100(A)
MSRTA400100(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 400A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음4,608
MSRTA400120(A)
MSRTA400120(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 400A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음6,120
MSRTA400140(A)
MSRTA400140(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 400A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음5,724
MSRTA400160(A)
MSRTA400160(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 400A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음5,472
MSRTA40060(A)
MSRTA40060(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 400A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음2,088
MSRTA40080(A)
MSRTA40080(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 800V 400A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 400A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음5,490
MSRTA500100(A)
MSRTA500100(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER

  • 제조업체: GeneSiC Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
  • 다이오드 유형: Standard
  • 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
  • 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
  • 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500A
  • 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
  • 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: Three Tower
  • 공급자 장치 패키지: Three Tower
재고 있음7,002