다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
MUR2X030A12 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 1200V 60A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 30A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 85ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음8,100
MUR2X060A02 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 60A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,498
MUR2X060A04 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 60A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,324
MUR2X060A06 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 60A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,030
MUR2X060A10 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 60A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1000V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,554
MUR2X060A12 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 60A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,862
MUR2X100A02 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,140
MUR2X100A04 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,372
MUR2X100A06 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 100A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음8,532
MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 100A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1000V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,626
MUR2X100A12 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 100A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음8,226
MUR2X120A02 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 120A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,832
MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 120A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,328
MUR2X120A06 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 120A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,904
MUR2X120A10 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 1KV 120A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 120A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1000V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,976
MUR2X120A12 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 2 Independent 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 120A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음3,222
MUR30005CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 300A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음4,464
MUR30005CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 300A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음8,460
MUR30010CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음2,574
MUR30010CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음5,544
MUR30020CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 300A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음7,974
MUR30020CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 300A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음2,736
MUR30040CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 300A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음6,624
MUR30040CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 300A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음3,060
MUR30060CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 300A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음7,506
MUR30060CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 300A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음5,598
MUR3020PT ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 15A SOT93 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 15A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 15A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음128
MUR3020PTG ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 15A SOT93 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 15A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 15A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음3,834
MUR3020WT ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 15A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 15A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음3,168
MUR3020WT Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: FRED Pt® 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 15A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 15A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음7,434

MUR2X030A12

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 1200V 60A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 30A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 85ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음8,100

MUR2X060A02

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 60A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,498

MUR2X060A04

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 60A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,324

MUR2X060A06

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 60A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,030

MUR2X060A10

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 60A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1000V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,554

MUR2X060A12

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 60A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 60A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,862

MUR2X100A02

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,140

MUR2X100A04

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,372

MUR2X100A06

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 100A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음8,532

MUR2X100A10

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 100A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1000V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,626

MUR2X100A12

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 100A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음8,226

MUR2X120A02

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 120A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,832

MUR2X120A04

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 120A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,328

MUR2X120A06

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 120A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,904

MUR2X120A10

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 1KV 120A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 120A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1000V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,976

MUR2X120A12

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 2 Independent
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 120A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.35V @ 120A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음3,222

MUR30005CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음4,464

MUR30005CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음8,460

MUR30010CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음2,574

MUR30010CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음5,544

MUR30020CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음7,974

MUR30020CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음2,736

MUR30040CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음6,624

MUR30040CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음3,060

MUR30060CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음7,506

MUR30060CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음5,598

MUR3020PT

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 15A SOT93

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 15A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음128

MUR3020PTG

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 15A SOT93

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 15A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음3,834

MUR3020WT

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 15A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음3,168

MUR3020WT

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: FRED Pt®
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.05V @ 15A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

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