다이오드 및 정류기

MSRD620CTRG

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: SWITCHMODE™
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 3A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.15V @ 3A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 75ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 공급자 장치 패키지: DPAK

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MSRD620CTT4G

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: SWITCHMODE™
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 3A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.15V @ 3A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 55ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 공급자 장치 패키지: DPAK

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MSRD620CTT4RG

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: SWITCHMODE™
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 3A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.15V @ 3A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 75ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 공급자 장치 패키지: DPAK

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MSRT100100(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT100120(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT100140(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.4KV 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1400V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT100160(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1600V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT10060(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT10080(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT150100(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT150100(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT150120(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT150120(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT150140(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT150140(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.4KV 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1400V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT150160(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT150160(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.6KV 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1600V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT15060(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT15060(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT15080(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT15080(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 800V 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 800V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT200100(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT200100(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1000V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT200120(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT200120(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT200140(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT200140(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1400V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT200160(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT200160(A)D

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 200A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1600V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MSRT20060(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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