다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
MSRTA500120(A) GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음5,778
MSRTA500140(A) GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음6,696
MSRTA500160(A) GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음8,604
MSRTA50060(A) GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,438
MSRTA50080(A) GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음7,578
MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: - 다이오드 유형: - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: - 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: - 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD Module 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음5,274
MSRTA600100(A) GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 600A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD Module 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음2,160
MSRTA600120(A) GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 600A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD Module 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,320
MSRTA600140(A) GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 600A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD Module 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,482
MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: - 다이오드 유형: - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: - 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: - 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD Module 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,986
MSRTA60060(A) GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 600A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음8,406
MSRTA60080(A) GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 600A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음5,220
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음5,796
MUR10005CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음4,788
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음7,110
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음3,402
MUR10020CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음4,824
MUR10020CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음4,014
MUR10040CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음6,696
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 90ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음4,104
MUR10060CT GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 110ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음5,076
MUR10060CTR GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 50A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 110ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Twin Tower 공급자 장치 패키지: Twin Tower	재고 있음4,392
MUR1020CT Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: FRED Pt® 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 990mV @ 5A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,092
MUR1610CT ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 100V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,012
MUR1610CTG ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 100V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음86
MUR1615CT ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 150V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 150V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음8,910
MUR1615CTG ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 150V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 150V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음1,776
MUR1620CT ON Semiconductor	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,732
MUR1620CT Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: FRED Pt® 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 950mV @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,824
MUR1620CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation	정류기-배열 DIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 25ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,822

MSRTA500120(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음5,778

MSRTA500140(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음6,696

MSRTA500160(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음8,604

MSRTA50060(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,438

MSRTA50080(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음7,578

MSRTA6001

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: -
다이오드 유형: -
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: -
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD Module
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음5,274

MSRTA600100(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 600A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD Module
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음2,160

MSRTA600120(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 600A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD Module
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,320

MSRTA600140(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 600A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD Module
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,482

MSRTA6001R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: -
다이오드 유형: -
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: -
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD Module
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,986

MSRTA60060(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 600A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음8,406

MSRTA60080(A)

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 600A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음5,220

MUR10005CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음5,796

MUR10005CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음4,788

MUR10010CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음7,110

MUR10010CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음3,402

MUR10020CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음4,824

MUR10020CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 75ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음4,014

MUR10040CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음6,696

MUR10040CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 90ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음4,104

MUR10060CT

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 110ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음5,076

MUR10060CTR

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 50A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 110ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Twin Tower
공급자 장치 패키지: Twin Tower

재고 있음4,392

MUR1020CT

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: FRED Pt®
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 990mV @ 5A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,092

MUR1610CT

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 100V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,012

MUR1610CTG

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 100V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 100V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음86

MUR1615CT

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 150V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 150V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음8,910

MUR1615CTG

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 150V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 150V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음1,776

MUR1620CT

ON Semiconductor

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,732

MUR1620CT

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: FRED Pt®
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 950mV @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 35ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,824

MUR1620CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

정류기-배열

DIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 16A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 975mV @ 8A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 25ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,822

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