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PTFA181001GL V1 R250

PTFA181001GL V1 R250

참조 용

부품 번호 PTFA181001GL V1 R250
PNEDA 부품 번호 PTFA181001GL-V1-R250
설명 IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,940
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA181001GL V1 R250 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA181001GL V1 R250
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA181001GL V1 R250, PTFA181001GL V1 R250 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 319.31 KB)
PDFPTFA181001HL V1 R250 데이터 시트 표지
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  • PTFA181001GL V1 R250 Distributor

PTFA181001GL V1 R250 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.88GHz
이득16.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)1µA
소음 수치-
현재-테스트750mA
전원-출력100W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지PG-63248-2

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

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Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

940MHz

이득

20.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

8W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

10-LDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

PG-SON-10

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

748MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

50W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

OM-780-2

공급자 장치 패키지

OM-780-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

30dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.3dB

현재-테스트

19mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

19.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

65W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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