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MRFE6P3300HR5

MRFE6P3300HR5

참조 용

부품 번호 MRFE6P3300HR5
PNEDA 부품 번호 MRFE6P3300HR5
설명 FET RF 66V 863MHZ NI-860C3
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,256
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6P3300HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6P3300HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6P3300HR5, MRFE6P3300HR5 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 488.54 KB)
PDFMRFE6P3300HR5 데이터 시트 표지
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MRFE6P3300HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수857MHz ~ 863MHz
이득20.4dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.6A
전원-출력270W
전압-정격66V
패키지 / 케이스NI-860C3
공급자 장치 패키지NI-860C3

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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현재-테스트

400mA

전원-출력

470W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-3

공급자 장치 패키지

SOT-1258-3

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

29.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

920MHz

이득

19.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

72W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

RFM01U7P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

520MHz

이득

10.8dB

전압-테스트

7.2V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1.2W

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PW-MINI

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 2.2GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

52dBm

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

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