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MRF7S27130HSR3

MRF7S27130HSR3

참조 용

부품 번호 MRF7S27130HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF7S27130HSR3
설명 FET RF 65V 2.7GHZ NI-780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,636
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S27130HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S27130HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S27130HSR3, MRF7S27130HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 825.46 KB)
PDFMRF7S27130HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S27130HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.7GHz
이득16.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.5A
전원-출력23W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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주파수

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이득

25dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

10W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

24W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

450MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

VRF3933

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz

이득

22dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

300W

전압-정격

250V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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