트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CSD25485F5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 20V P-CHANNEL FEMTOFET 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (최대): -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 533pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음142,122
CSD25485F5T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CSD25485F5T 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (최대): -12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 533pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음52,410
CSD25501F3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 20V P CH MOSFET 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.33nC @ 4.5V Vgs (최대): -20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 385pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-LGA (0.73x0.64) 패키지 / 케이스: 3-XFLGA	재고 있음6,426
CSD25501F3T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.33nC @ 4.5V Vgs (최대): -20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 385pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-LGA (0.73x0.64) 패키지 / 케이스: 3-XFLGA	재고 있음28,242
CTLDM3590 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.46nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM3D6D8 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음2,574
CTLDM7002A-M621 BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V DFN6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.592nC @ 4.5V Vgs (최대): 40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621 패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN	재고 있음3,042
CTLDM7002A-M621 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V DFN6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.592nC @ 4.5V Vgs (최대): 40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621 패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN	재고 있음6,444
CTLDM7003-M621 BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V DFN6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.764nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621 패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN	재고 있음7,758
CTLDM7003-M621 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V DFN6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.764nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621 패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN	재고 있음8,874
CTLDM7120-M621H BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V DFN6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621H 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad	재고 있음5,436
CTLDM7120-M621H TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1A 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621H 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad	재고 있음6,048
CTLDM7590 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM3D6D8 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음2,100
CTLDM8002A-M621 BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V DFN6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621 패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN	재고 있음2,484
CTLDM8002A-M621H BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V DFN6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621H 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad	재고 있음3,528
CTLDM8002A-M621H TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V DFN6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621H 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad	재고 있음4,644
CTLDM8002A-M621 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V DFN6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621 패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN	재고 있음3,276
CTLDM8120-M621H BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V DFN6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621H 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad	재고 있음6,804
CTLDM8120-M621H TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V DFN6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TLM621H 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad	재고 있음4,266
CWDM3011N TR13 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,982
CWDM3011P TR13 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 8V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,536
CWDM305N TR13 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음2,430
CWDM305P TR13 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V Vgs (최대): 16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,516
CXDM1002N TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음22,158
CXDM3069N TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음6,336
CXDM4060N TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음13,902
CXDM4060P TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (최대): 25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음14,340
CXDM6053N TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음8,766
CZDM1003N BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 975pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,208
CZDM1003N TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 975pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,172
DI9400T Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing	재고 있음3,042

CSD25485F5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

20V P-CHANNEL FEMTOFET

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 533pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음142,122

CSD25485F5T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CSD25485F5T

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): -12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 533pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음52,410

CSD25501F3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

20V P CH MOSFET

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.33nC @ 4.5V
Vgs (최대): -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 385pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-LGA (0.73x0.64)
패키지 / 케이스: 3-XFLGA

재고 있음6,426

CSD25501F3T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.33nC @ 4.5V
Vgs (최대): -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 385pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-LGA (0.73x0.64)
패키지 / 케이스: 3-XFLGA

재고 있음28,242

CTLDM3590 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.46nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM3D6D8
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음2,574

CTLDM7002A-M621 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V DFN6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.592nC @ 4.5V
Vgs (최대): 40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621
패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN

재고 있음3,042

CTLDM7002A-M621 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V DFN6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.592nC @ 4.5V
Vgs (최대): 40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621
패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN

재고 있음6,444

CTLDM7003-M621 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V DFN6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.764nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621
패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN

재고 있음7,758

CTLDM7003-M621 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V DFN6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.764nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621
패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN

재고 있음8,874

CTLDM7120-M621H BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V DFN6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621H
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad

재고 있음5,436

CTLDM7120-M621H TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1A

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621H
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad

재고 있음6,048

CTLDM7590 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM3D6D8
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음2,100

CTLDM8002A-M621 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V DFN6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621
패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN

재고 있음2,484

CTLDM8002A-M621H BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V DFN6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621H
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad

재고 있음3,528

CTLDM8002A-M621H TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V DFN6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621H
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad

재고 있음4,644

CTLDM8002A-M621 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V DFN6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621
패키지 / 케이스: 6-PowerVFDFN

재고 있음3,276

CTLDM8120-M621H BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V DFN6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621H
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad

재고 있음6,804

CTLDM8120-M621H TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V DFN6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TLM621H
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad

재고 있음4,266

CWDM3011N TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,982

CWDM3011P TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 8V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,536

CWDM305N TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음2,430

CWDM305P TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs (최대): 16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,516

CXDM1002N TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음22,158

CXDM3069N TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음6,336

CXDM4060N TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음13,902

CXDM4060P TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): 25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음14,340

CXDM6053N TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음8,766

CZDM1003N BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 975pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,208

CZDM1003N TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 975pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,172

DI9400T

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing

재고 있음3,042

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