트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DI9405T Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1425pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)	재고 있음5,724
DI9430T Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing	재고 있음2,232
DI9435T Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)	재고 있음8,802
DKI03038 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 48A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 47.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2460pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 47W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,848
DKI03062 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 48A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,328
DKI03082 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 29A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,330
DKI04035 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 48A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3910pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 61W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,860
DKI04046 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 48A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 35.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 47W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,708
DKI04077 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 47A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 23.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,042
DKI04103 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 29A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 18.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,968
DKI06075 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 48A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 61W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,606
DKI06108 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 47A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 23.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 47W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,894
DKI06186 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 31A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,292
DKI06261 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 25A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.2mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,120
DKI10299 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 28A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 14.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 47W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,264
DKI10526 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 19A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47.7mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,744
DKI10751 Sanken	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 15A TO-252 제조업체: Sanken 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70.4mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,304
DMG1012T-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.737nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 280mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음7,290
DMG1012T-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 280mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음3,678,246
DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 280mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음6,552
DMG1012UW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음2,556,270
DMG1013T-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 460mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 270mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음2,638,308
DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 460mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 270mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-523 패키지 / 케이스: SOT-523	재고 있음3,996
DMG1013UW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 820mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음1,935,108
DMG1013UWQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET PCH 20V 820MA SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 820mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음6,930
DMG1013UWQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 820mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-323 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음24,042
DMG10N60SCT Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1587pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 178W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,222
DMG2301L-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 476pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,102
DMG2301L-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 476pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,650
DMG2301LK-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET PCH 20V 2.4A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 840mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,964

DI9405T

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1425pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)

재고 있음5,724

DI9430T

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SMD, Gull Wing

재고 있음2,232

DI9435T

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)

재고 있음8,802

DKI03038

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 48A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 47.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2460pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 47W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,848

DKI03062

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 48A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,328

DKI03082

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 29A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,330

DKI04035

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 48A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3910pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 61W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,860

DKI04046

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 48A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 47W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,708

DKI04077

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 47A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 23.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,042

DKI04103

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 29A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 18.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,968

DKI06075

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 48A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 61W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,606

DKI06108

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 47A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2520pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 47W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,894

DKI06186

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 31A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,292

DKI06261

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 25A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.2mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,120

DKI10299

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 28A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 650µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 47W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,264

DKI10526

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 19A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47.7mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,744

DKI10751

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 15A TO-252

제조업체: Sanken
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70.4mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,304

DMG1012T-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.737nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 280mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음7,290

DMG1012T-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 280mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음3,678,246

DMG1012TQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 20V 630MA SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 280mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음6,552

DMG1012UW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음2,556,270

DMG1013T-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 460mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 270mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음2,638,308

DMG1013TQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 460mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 270mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-523
패키지 / 케이스: SOT-523

재고 있음3,996

DMG1013UW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 820mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음1,935,108

DMG1013UWQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET PCH 20V 820MA SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 820mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음6,930

DMG1013UWQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 820mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 59.76pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-323
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음24,042

DMG10N60SCT

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1587pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 178W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,222

DMG2301L-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 476pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,102

DMG2301L-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 476pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,650

DMG2301LK-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET PCH 20V 2.4A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 840mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,964

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