트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CSD18540Q5B Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4230pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음535,422
CSD18540Q5BT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4230pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음115,392
CSD18541F5 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 777pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음312,594
CSD18541F5T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 777pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음13,986
CSD18542KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,964
CSD18542KTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음97,782
CSD18542KTTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta), 170A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음12,996
CSD18543Q3A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 60V N CH MOSFET 제조업체: 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,848
CSD18543Q3AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 66W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음297,648
CSD18563Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 116W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음55,170
CSD18563Q5AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 116W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음112,854
CSD19501KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 100A TO220 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 217W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음12,738
CSD19502Q5B Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4870pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음81,570
CSD19502Q5BT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4870pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음22,842
CSD19503KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2730pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음21,444
CSD19505KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 150A TO-220 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7820pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음1,897
CSD19505KTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7920pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음6,534
CSD19505KTTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7920pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음2,358
CSD19506KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V TO-220-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음11,487
CSD19506KTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음7,380
CSD19506KTTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 IC MOSFET N-CH 80V TO-220 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음6,192
CSD19531KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3870pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음16,656
CSD19531Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3870pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음30,148
CSD19531Q5AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3870pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음256,044
CSD19532KTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5060pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음8,532
CSD19532KTTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V TO-263-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5060pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음14,580
CSD19532Q5B Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4810pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음19,922
CSD19532Q5BT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4810pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음13,008
CSD19533KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2670pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음61,962
CSD19533Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2670pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음91,338

CSD18540Q5B

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4230pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음535,422

CSD18540Q5BT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4230pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음115,392

CSD18541F5

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 777pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음312,594

CSD18541F5T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 777pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음13,986

CSD18542KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,964

CSD18542KTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음97,782

CSD18542KTTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta), 170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5070pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음12,996

CSD18543Q3A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

60V N CH MOSFET

제조업체:
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,848

CSD18543Q3AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 66W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음297,648

CSD18563Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음55,170

CSD18563Q5AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 116W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음112,854

CSD19501KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 100A TO220

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 217W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음12,738

CSD19502Q5B

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4870pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음81,570

CSD19502Q5BT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4870pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음22,842

CSD19503KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2730pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음21,444

CSD19505KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 150A TO-220

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7820pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음1,897

CSD19505KTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7920pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음6,534

CSD19505KTTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7920pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음2,358

CSD19506KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V TO-220-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음11,487

CSD19506KTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음7,380

CSD19506KTTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC MOSFET N-CH 80V TO-220

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음6,192

CSD19531KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3870pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음16,656

CSD19531Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3870pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음30,148

CSD19531Q5AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3870pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음256,044

CSD19532KTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5060pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음8,532

CSD19532KTTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V TO-263-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5060pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음14,580

CSD19532Q5B

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4810pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음19,922

CSD19532Q5BT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4810pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음13,008

CSD19533KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2670pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음61,962

CSD19533Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2670pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음91,338

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