트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CSD19533Q5AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A VSONP 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2670pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음21,300
CSD19534KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO220 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 118W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음18,840
CSD19534Q5A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 50 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음82,956
CSD19534Q5AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 50 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음97,080
CSD19535KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V TO-220 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 101nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7930pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음49,992
CSD19535KTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 200A TO263 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7930pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음16,488
CSD19535KTTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 200A TO263 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7930pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음30,600
CSD19536KCS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V TO-220 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,459
CSD19536KTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 200A TO263 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음1,764
CSD19536KTTT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 200A TO263 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3 패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	재고 있음19,686
CSD19537Q3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,724
CSD19537Q3T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음36,498
CSD19538Q2 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 100V 14.4A SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음110,568
CSD19538Q2T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음23,892
CSD19538Q3A Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 23W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음26,784
CSD19538Q3AT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 23W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음270,756
CSD22202W15 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1390pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-DSBGA 패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA	재고 있음237,774
CSD22204W Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 5A 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.6nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-DSBGA 패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA	재고 있음73,625
CSD22204WT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 9DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.6nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-DSBGA 패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA	재고 있음53,886
CSD22205L Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1390pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 4-XFLGA	재고 있음249,858
CSD22205LT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1390pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 4-XFLGA	재고 있음14,580
CSD22206W Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 8V P-CHANNEL FEMTOFET 제조업체: 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2275pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-DSBGA (1.5x1.5) 패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA	재고 있음7,632
CSD22206WT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2275pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 9-DSBGA (1.5x1.5) 패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA	재고 있음47,196
CSD23201W10 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA	재고 있음2,394
CSD23202W10 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 512pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA	재고 있음1,367,952
CSD23202W10T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 512pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1) 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA	재고 있음173,814
CSD23203W Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA	재고 있음2,502
CSD23203WT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA	재고 있음23,658
CSD23280F3 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 0.95V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 234pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음640,758
CSD23280F3T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 제조업체: 시리즈: FemtoFET™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 0.95V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4.5V Vgs (최대): -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 234pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음212,808

CSD19533Q5AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A VSONP

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2670pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음21,300

CSD19534KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO220

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 118W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음18,840

CSD19534Q5A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 50 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음82,956

CSD19534Q5AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 50 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음97,080

CSD19535KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V TO-220

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 101nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7930pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음49,992

CSD19535KTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7930pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음16,488

CSD19535KTTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7930pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음30,600

CSD19536KCS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V TO-220

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,459

CSD19536KTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음1,764

CSD19536KTTT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DDPAK/TO-263-3
패키지 / 케이스: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

재고 있음19,686

CSD19537Q3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,724

CSD19537Q3T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음36,498

CSD19538Q2

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 100V 14.4A SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음110,568

CSD19538Q2T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음23,892

CSD19538Q3A

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 15A VSONP

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음26,784

CSD19538Q3AT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 15A VSONP

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-VSONP (3x3.15)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음270,756

CSD22202W15

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1390pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-DSBGA
패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA

재고 있음237,774

CSD22204W

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 5A

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-DSBGA
패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA

재고 있음73,625

CSD22204WT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 9DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-DSBGA
패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA

재고 있음53,886

CSD22205L

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1390pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 4-XFLGA

재고 있음249,858

CSD22205LT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1390pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 4-XFLGA

재고 있음14,580

CSD22206W

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

8V P-CHANNEL FEMTOFET

제조업체:
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2275pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-DSBGA (1.5x1.5)
패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA

재고 있음7,632

CSD22206WT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2275pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 9-DSBGA (1.5x1.5)
패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA

재고 있음47,196

CSD23201W10

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA

재고 있음2,394

CSD23202W10

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 512pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA

재고 있음1,367,952

CSD23202W10T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 512pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-DSBGA (1x1)
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, DSBGA

재고 있음173,814

CSD23203W

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA

재고 있음2,502

CSD23203WT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA

재고 있음23,658

CSD23280F3

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 0.95V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 234pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음640,758

CSD23280F3T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR

제조업체:
시리즈: FemtoFET™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 0.95V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4.5V
Vgs (최대): -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 234pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PICOSTAR
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음212,808

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