메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS43DR86400D-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음4,014
IS43DR86400D-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음2,322
IS43DR86400D-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음8,154
IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음11,220
IS43DR86400E-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음8,442
IS43DR86400E-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음4,032
IS43DR86400E-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음4,392
IS43DR86400E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음7,974
IS43DR86400E-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음6,948
IS43LD16128B-18BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음5,058
IS43LD16128B-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음7,110
IS43LD16128B-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음4,374
IS43LD16128B-18BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음8,802
IS43LD16128B-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음8,226
IS43LD16128B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음8,028
IS43LD16128B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음4,050
IS43LD16128B-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음5,688
IS43LD16320A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음2,826
IS43LD16320A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음8,820
IS43LD16640A-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음2,664
IS43LD16640A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음6,282
IS43LD16640A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음2,700
IS43LD16640A-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음3,474
IS43LD16640A-3BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음8,604
IS43LD16640A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음2,880
IS43LD16640A-3BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음6,174
IS43LD16640A-3BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음4,770
IS43LD16640C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음3,348
IS43LD16640C-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음6,606
IS43LD16640C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음8,802

IS43DR86400D-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

재고 있음4,014

IS43DR86400D-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

재고 있음2,322

IS43DR86400D-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

재고 있음8,154

IS43DR86400E-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

재고 있음11,220

IS43DR86400E-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

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IS43DR86400E-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR86400E-3DBLI

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR86400E-3DBLI-TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43LD16128B-18BLI

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IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43LD16128B-18BLI-TR

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IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43LD16128B-18BL-TR

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IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43LD16128B-25BLI

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IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
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IS43LD16320A-25BLI

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IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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재고 있음2,826

IS43LD16320A-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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IS43LD16640A-25BL

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
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재고 있음2,664

IS43LD16640A-25BLI

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
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재고 있음6,282

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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재고 있음2,700

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
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재고 있음3,474

IS43LD16640A-3BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
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재고 있음8,604

IS43LD16640A-3BLI

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기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
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재고 있음2,880

IS43LD16640A-3BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
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재고 있음6,174

IS43LD16640A-3BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
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접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
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재고 있음4,770

IS43LD16640C-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: DRAM
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공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음3,348

IS43LD16640C-18BLI-TR

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IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음6,606

IS43LD16640C-25BLI

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음8,802

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