메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS43LD16640C-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음5,040
IS43LD32160A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음2,304
IS43LD32160A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음7,416
IS43LD32320A-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음7,632
IS43LD32320A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음8,226
IS43LD32320A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음5,130
IS43LD32320A-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음2,520
IS43LD32320A-3BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음6,498
IS43LD32320A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음6,912
IS43LD32320A-3BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음3,420
IS43LD32320A-3BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음8,028
IS43LD32320C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음3,024
IS43LD32320C-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음5,922
IS43LD32320C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음7,344
IS43LD32320C-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음5,220
IS43LD32640B-18BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음3,544
IS43LD32640B-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음3,996
IS43LD32640B-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음6,552
IS43LD32640B-18BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음7,866
IS43LD32640B-18BPL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음7,884
IS43LD32640B-18BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음4,140
IS43LD32640B-18BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음2,592
IS43LD32640B-18BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음6,732
IS43LD32640B-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음4,212
IS43LD32640B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음8,424
IS43LD32640B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음6,948
IS43LD32640B-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음6,948
IS43LD32640B-25BPL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음2,394
IS43LD32640B-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음1,263
IS43LD32640B-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음2,466

IS43LD16640C-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음5,040

IS43LD32160A-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음2,304

IS43LD32160A-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음7,416

IS43LD32320A-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음7,632

IS43LD32320A-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음8,226

IS43LD32320A-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음5,130

IS43LD32320A-25BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음2,520

IS43LD32320A-3BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음6,498

IS43LD32320A-3BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음6,912

IS43LD32320A-3BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음3,420

IS43LD32320A-3BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음8,028

IS43LD32320C-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음3,024

IS43LD32320C-18BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음5,922

IS43LD32320C-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음7,344

IS43LD32320C-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음5,220

IS43LD32640B-18BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음3,544

IS43LD32640B-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음3,996

IS43LD32640B-18BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음6,552

IS43LD32640B-18BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음7,866

IS43LD32640B-18BPL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음7,884

IS43LD32640B-18BPLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음4,140

IS43LD32640B-18BPLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음2,592

IS43LD32640B-18BPL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음6,732

IS43LD32640B-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음4,212

IS43LD32640B-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음8,424

IS43LD32640B-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음6,948

IS43LD32640B-25BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음6,948

IS43LD32640B-25BPL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음2,394

IS43LD32640B-25BPLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음1,263

IS43LD32640B-25BPLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음2,466

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message