메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS43LR16640A-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)	재고 있음3,222
IS43LR16640A-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)	재고 있음5,580
IS43LR16640A-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)	재고 있음4,554
IS43LR16640A-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)	재고 있음5,796
IS43LR16640A-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)	재고 있음5,688
IS43LR16640A-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)	재고 있음4,752
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IS43LR16800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음3,906
IS43LR16800G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음3,078
IS43LR16800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음4,482
IS43LR16800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음2,718
IS43LR16800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음3,454
IS43LR32100C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,300
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IS43LR32100C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,832
IS43LR32100D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음3,906
IS43LR32100D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,634
IS43LR32100D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,030
IS43LR32100D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,496
IS43LR32160B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음3,186
IS43LR32160B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,112
IS43LR32160B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음4,014
IS43LR32160B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음2,862
IS43LR32160C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음2,016
IS43LR32160C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,416
IS43LR32160C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,850

IS43LR16640A-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)

재고 있음3,222

IS43LR16640A-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)

재고 있음5,580

IS43LR16640A-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)

재고 있음4,554

IS43LR16640A-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)

재고 있음5,796

IS43LR16640A-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)

재고 있음5,688

IS43LR16640A-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10)

재고 있음4,752

IS43LR16640A-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
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재고 있음3,472

IS43LR16800F-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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패키지 / 케이스: 60-TFBGA
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재고 있음3,294

IS43LR16800F-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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재고 있음3,618

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IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
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재고 있음6,084

IS43LR16800F-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
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재고 있음3,906

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IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
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재고 있음3,078

IS43LR16800G-6BLI

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IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
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재고 있음4,482

IS43LR16800G-6BLI-TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
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공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)

재고 있음2,718

IS43LR16800G-6BL-TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
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쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
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패키지 / 케이스: 60-TFBGA
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재고 있음3,454

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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
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재고 있음6,300

IS43LR32100C-6BLI

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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
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접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
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재고 있음2,736

IS43LR32100C-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음3,168

IS43LR32100C-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음5,832

IS43LR32100D-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
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접근 시간: 5.5ns
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재고 있음3,906

IS43LR32100D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
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재고 있음5,634

IS43LR32100D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
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접근 시간: 5.5ns
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패키지 / 케이스: 90-TFBGA
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재고 있음6,030

IS43LR32100D-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
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재고 있음8,496

IS43LR32160B-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
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쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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재고 있음3,186

IS43LR32160B-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
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재고 있음5,112

IS43LR32160B-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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패키지 / 케이스: 90-TFBGA
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재고 있음4,014

IS43LR32160B-6BL-TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
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접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
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패키지 / 케이스: 90-TFBGA
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재고 있음2,862

IS43LR32160C-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
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재고 있음2,016

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음7,416

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
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메모리 인터페이스: Parallel
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