메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS43DR16320D-25DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,424
IS43DR16320D-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음3,132
IS43DR16320D-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음4,406
IS43DR16320D-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,208
IS43DR16320D-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음7,686
IS43DR16320D-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음4,824
IS43DR16320D-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,994
IS43DR16320D-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,310
IS43DR16320D-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음20,728
IS43DR16320D-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음7,920
IS43DR16320D-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,616
IS43DR16320E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,676
IS43DR16320E-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음7,776
IS43DR16320E-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음892
IS43DR16320E-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음6,600
IS43DR16320E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음6,324
IS43DR16320E-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음6,390
IS43DR16640A-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x13.65)	재고 있음8,550
IS43DR16640B-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음15,840
IS43DR16640B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음22,090
IS43DR16640B-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음8,856
IS43DR16640B-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-WBGA (8x12.5)	재고 있음7,542
IS43DR16640B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음2,340
IS43DR16640B-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음3,132
IS43DR16640B-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음2,826
IS43DR16640B-25EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음7,164
IS43DR16640B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음4,554
IS43DR16640B-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음7,776
IS43DR16640B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음7,200
IS43DR16640B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음22,079

IS43DR16320D-25DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음8,424

IS43DR16320D-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음3,132

IS43DR16320D-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음4,406

IS43DR16320D-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음8,208

IS43DR16320D-25DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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IS43DR16320D-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR16320D-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR16320D-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

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IS43DR16320E-25DBLI

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음7,776

IS43DR16320E-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음892

IS43DR16320E-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR16320E-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR16320E-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: DRAM
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR16640B-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR16640B-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
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IS43DR16640B-25DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
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접근 시간: 400ps
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재고 있음7,542

IS43DR16640B-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음2,340

IS43DR16640B-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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시계 주파수: 400MHz
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접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음3,132

IS43DR16640B-25EBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음2,826

IS43DR16640B-25EBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음7,164

IS43DR16640B-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
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접근 시간: 450ps
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패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음4,554

IS43DR16640B-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
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접근 시간: 450ps
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음7,776

IS43DR16640B-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
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접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음7,200

IS43DR16640B-3DBLI

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IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
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패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

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