메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
GD25LD20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O 시계 주파수: 50MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,484
GD25LD20CUIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O 시계 주파수: 50MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음4,860
GD25LD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O 시계 주파수: 50MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음6,318
GD25LD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O 시계 주파수: 50MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음4,122
GD25LD40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O 시계 주파수: 50MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,160
GD25LD40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O 시계 주파수: 50MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,246
GD25LD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O 시계 주파수: 50MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60µs, 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음2,070
GD25LD80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O 시계 주파수: 50MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60µs, 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,226
GD25LD80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O 시계 주파수: 50MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60µs, 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,102
GD25LD80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O 시계 주파수: 50MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60µs, 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,220
GD25LD80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O 시계 주파수: 50MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60µs, 6ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,060
GD25LE128DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 21-XFBGA, WLSCP 공급자 장치 패키지: 21-WLCSP	재고 있음4,428
GD25LE16CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 21-XFBGA, WLSCP 공급자 장치 패키지: 21-WLCSP	재고 있음2,250
GD25LE32DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 32Mb (4M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 21-XFBGA, WLSCP 공급자 장치 패키지: 21-WLCSP	재고 있음2,142
GD25LE64CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 21-XFBGA, WLSCP 공급자 장치 패키지: 21-WLCSP	재고 있음2,016
GD25LQ05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Kb (64K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음53,916
GD25LQ05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Kb (64K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,838
GD25LQ10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)	재고 있음24,012
GD25LQ10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음27,870
GD25LQ128DSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음2,034
GD25LQ128DSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,588
GD25LQ128DVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-VSOP	재고 있음2,250
GD25LQ128DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (5x6)	재고 있음3,708
GD25LQ128DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 128MBIT 1.8V WSON8 6X8MM IND 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (16M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)	재고 있음5,256
GD25LQ16C8IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-XFLGA Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-LGA	재고 있음4,842
GD25LQ16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-USON (4x3)	재고 있음6,660
GD25LQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,500
GD25LQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음21,234
GD25LQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,418
GD25LQ16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	기억 NOR FLASH 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 2.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,420

GD25LD20CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
시계 주파수: 50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,484

GD25LD20CUIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
시계 주파수: 50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음4,860

GD25LD40CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
시계 주파수: 50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음6,318

GD25LD40COIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
시계 주파수: 50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음4,122

GD25LD40CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
시계 주파수: 50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,160

GD25LD40CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
시계 주파수: 50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,246

GD25LD80CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
시계 주파수: 50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60µs, 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음2,070

GD25LD80CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
시계 주파수: 50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60µs, 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,226

GD25LD80CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
시계 주파수: 50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60µs, 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,102

GD25LD80CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
시계 주파수: 50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60µs, 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,220

GD25LD80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
시계 주파수: 50MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60µs, 6ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,060

GD25LE128DLIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 21-XFBGA, WLSCP
공급자 장치 패키지: 21-WLCSP

재고 있음4,428

GD25LE16CLIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 21-XFBGA, WLSCP
공급자 장치 패키지: 21-WLCSP

재고 있음2,250

GD25LE32DLIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 21-XFBGA, WLSCP
공급자 장치 패키지: 21-WLCSP

재고 있음2,142

GD25LE64CLIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 21-XFBGA, WLSCP
공급자 장치 패키지: 21-WLCSP

재고 있음2,016

GD25LQ05CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음53,916

GD25LQ05CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,838

GD25LQ10CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)

재고 있음24,012

GD25LQ10CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음27,870

GD25LQ128DSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음2,034

GD25LQ128DSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,588

GD25LQ128DVIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-VSOP

재고 있음2,250

GD25LQ128DWIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (5x6)

재고 있음3,708

GD25LQ128DYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

128MBIT 1.8V WSON8 6X8MM IND

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 120MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

재고 있음5,256

GD25LQ16C8IGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-XFLGA Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-LGA

재고 있음4,842

GD25LQ16CNIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 8-USON (4x3)

재고 있음6,660

GD25LQ16CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음4,500

GD25LQ16CSIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음21,234

GD25LQ16CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,418

GD25LQ16CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 2.4ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 2.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,420

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