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메모리 IC

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부품 번호
설명
재고 있음
수량
FT93C56A-UDR-B
FT93C56A-UDR-B

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8DIP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음14,490
FT93C56A-USR-B
FT93C56A-USR-B

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음18,204
FT93C56A-USR-T
FT93C56A-USR-T

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음7,758
FT93C56A-UTR-B
FT93C56A-UTR-B

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음18,024
FT93C56A-UTR-T
FT93C56A-UTR-T

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음6,912
FT93C66A-IDR-B
FT93C66A-IDR-B

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8DIP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음5,238
FT93C66A-ISR-B
FT93C66A-ISR-B

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음4,410
FT93C66A-ISR-T
FT93C66A-ISR-T

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IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음5,490
FT93C66A-ITR-B
FT93C66A-ITR-B

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기억

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음6,084
FT93C66A-ITR-T
FT93C66A-ITR-T

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IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음2,394
FT93C66A-UDR-B
FT93C66A-UDR-B

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8DIP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-DIP
재고 있음7,668
FT93C66A-USR-B
FT93C66A-USR-B

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음20,436
FT93C66A-USR-T
FT93C66A-USR-T

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음8,262
FT93C66A-UTR-B
FT93C66A-UTR-B

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음17,916
FT93C66A-UTR-T
FT93C66A-UTR-T

Fremont Micro Devices Ltd

기억

IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: Fremont Micro Devices Ltd
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8, 256 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 2MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음56,202
GD25D05CEIGR
GD25D05CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)
재고 있음21,600
GD25D05CKIGR
GD25D05CKIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (1.5x1.5)
재고 있음29,004
GD25D05CTIG
GD25D05CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음4,698
GD25D05CTIGR
GD25D05CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음21,936
GD25D10CEIGR
GD25D10CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)
재고 있음25,290
GD25D10CKIGR
GD25D10CKIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

1MBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45MM

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (1.5x1.5)
재고 있음28,974
GD25D10CTIG
GD25D10CTIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음3,528
GD25D10CTIGR
GD25D10CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음29,034
GD25D80CKIGR
GD25D80CKIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

8MBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45MM

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50µs, 4ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (1.5x1.5)
재고 있음24,432
GD25LD05CEIGR
GD25LD05CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 50MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55µs, 6ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)
재고 있음3,366
GD25LD05CTIGR
GD25LD05CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 50MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55µs, 6ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음7,380
GD25LD10CEIGR
GD25LD10CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 50MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55µs, 6ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)
재고 있음8,280
GD25LD10CTIGR
GD25LD10CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 50MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55µs, 6ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOP
재고 있음4,590
GD25LD20CEIGR
GD25LD20CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 50MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-XFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-USON (2x3)
재고 있음4,032
GD25LD20COIGR
GD25LD20COIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

기억

NOR FLASH

  • 제조업체: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI - Dual I/O
  • 시계 주파수: 50MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 97µs, 6ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음7,326