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부품 번호	설명	재고 있음
2SK596S-C ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 0.1W 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.1pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음159
2N5457 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 0.31W TO-92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 310mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	견적 요청
2N4416A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-72	재고 있음1,818
MMBF4092 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 350MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,070
U431 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET DUAL P-CH 25V TO-78 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음3,324
SST5485-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음29,384
SST5462-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 55V 4MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음8,926
SST4416-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.2pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,292
SST174-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): 85 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236	재고 있음55,275
2N5115 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음8,882
2N4416A Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)	재고 있음2,060
2N4416 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)	재고 있음4,994
2N4393-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음2,994
2N4393 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음14,098
2N4339 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음284
2N4117A Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)	재고 있음8,198
2N4392 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)	재고 있음12,940
MMBFJ305 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,242
MMBF5458 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 350MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음68,025
MMBF5434 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 3nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SuperSOT-3	재고 있음1,327
MMBFJ271 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,818
TF208TH-4-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: VTFP	재고 있음25,179
2SK715V-AC ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음31,559
2SK715V ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 300mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 공급자 장치 패키지: 3-SPA	재고 있음112
MMBF4091 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 350MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음1,321
MMBF5462 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2
MMBF5459 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 350MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,752
J112RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음265,570
SMMBF4391LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음6,978
MMBF5460 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 750mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음46,111

2SK596S-C

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 0.1W

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.1pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음159

2N5457

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 0.31W TO-92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 310mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

견적 요청

2N4416A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 0.3W TO-72

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-72

재고 있음1,818

MMBF4092

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,070

U431

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET DUAL P-CH 25V TO-78

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음3,324

SST5485-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 35V 4MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음29,384

SST5462-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 55V 4MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음8,926

SST4416-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 36V 5MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.2pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,292

SST174-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 20MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): 85 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236

재고 있음55,275

2N5115

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음8,882

2N4416A

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

재고 있음2,060

2N4416

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

재고 있음4,994

2N4393-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음2,994

2N4393

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음14,098

2N4339

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음284

2N4117A

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AF (TO-72)

재고 있음8,198

2N4392

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-206AA (TO-18)

재고 있음12,940

MMBFJ305

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,242

MMBF5458

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 350MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음68,025

MMBF5434

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 3nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SuperSOT-3

재고 있음1,327

MMBFJ271

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,818

TF208TH-4-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: VTFP

재고 있음25,179

2SK715V-AC

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음31,559

2SK715V

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 300mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72
공급자 장치 패키지: 3-SPA

재고 있음112

MMBF4091

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음1,321

MMBF5462

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2

MMBF5459

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 350MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,752

J112RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음265,570

SMMBF4391LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음6,978

MMBF5460

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 750mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음46,111

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