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IRF7306PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7104PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF7910PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 6V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF5852

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V
• 전력-최대: 960mW
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP

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IRF9953TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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IRF9953

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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AOE6930

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN

• 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 시리즈: AlphaMOS
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc), 85A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V
• 전력-최대: 24W, 75W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 8-DFN (5x6)

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EFC6612R-TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
• FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 2.5W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: 6-CSP (1.77x3.54)

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FDZ1905PZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 6-WLCSP

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: PowerTrench®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 900mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP
• 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (1.0x1.5)

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DMT6018LDR-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 869pF @ 30V
• 전력-최대: 1.9W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8

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ECH8691-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH ECH8

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• FET 기능: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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DMC3016LNS-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N and P-Channel Complementary
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 6.8A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
• 전력-최대: 1.3W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

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EFC2J013NUZTDG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 1.8W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: 6-WLCSP (2x1.49)

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DMC1229UFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

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DMC25D1UVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 3.9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 10V
• 전력-최대: 1.3W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: TSOT-26

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DMN2028UFU-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 887pF @ 10V
• 전력-최대: 900mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: U-DFN2030-6 (Type B)

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DMN61D8LVTQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.9pF @ 12V
• 전력-최대: 820mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: TSOT-26

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FDME1024NZT

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: PowerTrench®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
• 전력-최대: 600mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (1.6x1.6)

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TPS1120D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

• 제조업체:
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.17A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 840mW
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC

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FDMC7208S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: PowerTrench®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A, 16A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 15V
• 전력-최대: 800mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-Power33 (3x3)

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ECH8654-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 960pF @ 10V
• 전력-최대: 1.5W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
• 공급자 장치 패키지: 8-ECH

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DMN1250UFEL-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 6V
• 전력-최대: 660mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 12-UFQFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: U-QFN1515-12

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CSD87503Q3E

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON

• 제조업체:
• 시리즈: NexFET™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 15V
• 전력-최대: 15.6W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)

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DMN1006UCA6-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2360pF @ 6V
• 전력-최대: 2.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: X3-DSN2718-6

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US6M2GTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A, 1A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 80pF @ 10V, 150pF @ 10V
• 전력-최대: 1W
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: TUMT6

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MCH6664-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A SOT363

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 800mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 82pF @ 10V
• 전력-최대: 800mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
• 공급자 장치 패키지: SC-88FL/MCPH6

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DMN3035LWN-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 399pF @ 15V
• 전력-최대: 770mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
• 공급자 장치 패키지: V-DFN3020-8

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EFC6605R-TR

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH EFCP

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.8nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 1.6W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: 6-EFCP (1.9x1.46)

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DMC2038LVTQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26

• 제조업체: Diodes Incorporated
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N and P-Channel Complementary
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta), 2.6A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V
• 전력-최대: 800mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: TSOT-26

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SP8M4FRATB

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 7A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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