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SST4416-E3

SST4416-E3

참조 용

부품 번호 SST4416-E3
PNEDA 부품 번호 SST4416-E3
설명 JFET N-CH 36V 5MA SOT-23
제조업체 Vishay Siliconix
단가
1 ---------- $4.3100
250 ---------- $4.1080
500 ---------- $3.9060
1,000 ---------- $3.7039
2,500 ---------- $3.5356
5,000 ---------- $3.3672
재고 있음 7,292
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SST4416-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SST4416-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
SST4416-E3, SST4416-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 81.15 KB)
PDFSST4416-T1-E3 데이터 시트 표지
SST4416-T1-E3 데이터 시트 페이지 2 SST4416-T1-E3 데이터 시트 페이지 3 SST4416-T1-E3 데이터 시트 페이지 4 SST4416-T1-E3 데이터 시트 페이지 5 SST4416-T1-E3 데이터 시트 페이지 6 SST4416-T1-E3 데이터 시트 페이지 7

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  • SST4416-E3 Distributor

SST4416-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id3V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2.2pF @ 15V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대350mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-623F

공급자 장치 패키지

SOT-623F

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 3nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

10 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

210µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.1pF @ 2V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

3-VTFP

U440

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-71-6

공급자 장치 패키지

-

TF208TH-5-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

210µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

100mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 2V

저항-RDS (켜짐)

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전력-최대

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