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부품 번호	설명	재고 있음
MMBF4391LT1 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음866
2N5461 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,332
2N5458 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 0.31W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 310mW 작동 온도: 135°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,745
PMBFJ174,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 85 Ohms 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음85,079
PMBFJ176,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 250 Ohms 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음109
PMBFJ108,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 8 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음1
PMBFJ310,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음2,058
PMBFJ112,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음2
PMBFJ111,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음48,074
BFR30,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음155
BFT46,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.2V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음1
2N4858 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385 FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 360mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음1,031
2N5115 Microsemi	트랜지스터-JFET P CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500 FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 500mW 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)	재고 있음987
2N4393 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음11,723
2N4392 Microsemi	트랜지스터-JFET N CHANNEL JFET 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음18,915
2N4117A MICROSS/On Semiconductor	트랜지스터-JFET DIE MOSFET N-CH 40V 제조업체: MICROSS/On Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음14,799
NSVJ2394SA3T1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET IC JFET N-CH LNA SC59-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 15V 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 700mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 200mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59-3/CP3	재고 있음1,375
MMBFJ111 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 350MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음30,244
MMBFJ201 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 350MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음130,169
MMBFJ112 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음238,802
CMPF4416A TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET JFET N-CH 35V 10MA SOT23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 35V 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음30,532
2SK2394-7-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 16mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 200mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음8,507
2SK3666-2-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET NCH 30V 200MW 3CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 200 Ohms 전력-최대: 200mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음9,943
SMMBF4393LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,153
2SK545-11D-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 125MW CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.7pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 125mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음212
2SK932-23-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 200mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음12,396
MMBFJ108 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 350MW SSOT3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 8 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SuperSOT-3	재고 있음1
2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: 6.5mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음45,275
MMBF4391 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 350MW SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,278
MMBF4393LT3G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음45,156

MMBF4391LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음866

2N5461

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 135°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,332

2N5458

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 0.31W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 310mW
작동 온도: 135°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,745

PMBFJ174,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 85 Ohms
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음85,079

PMBFJ176,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 250 Ohms
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음109

PMBFJ108,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 8 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음1

PMBFJ310,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음2,058

PMBFJ112,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음2

PMBFJ111,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음48,074

BFR30,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음155

BFT46,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.2V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음1

2N4858

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/385
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 0.5nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 360mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음1,031

2N5115

Microsemi

트랜지스터-JFET

P CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 500mW
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

재고 있음987

2N4393

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음11,723

2N4392

Microsemi

트랜지스터-JFET

N CHANNEL JFET

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음18,915

2N4117A

MICROSS/On Semiconductor

트랜지스터-JFET

DIE MOSFET N-CH 40V

제조업체: MICROSS/On Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음14,799

NSVJ2394SA3T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

IC JFET N-CH LNA SC59-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 15V
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 700mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 200mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59-3/CP3

재고 있음1,375

MMBFJ111

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 350MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음30,244

MMBFJ201

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음130,169

MMBFJ112

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음238,802

CMPF4416A TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 35V 10MA SOT23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 35V
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음30,532

2SK2394-7-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 16mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 200mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음8,507

2SK3666-2-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET NCH 30V 200MW 3CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 200 Ohms
전력-최대: 200mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음9,943

SMMBF4393LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,153

2SK545-11D-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 125MW CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.7pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 125mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음212

2SK932-23-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 200mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음12,396

MMBFJ108

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 350MW SSOT3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 8 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SuperSOT-3

재고 있음1

2SK208-R(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: 6.5mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 400mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.2pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음45,275

MMBF4391

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 350MW SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,278

MMBF4393LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음45,156

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